CVD 钨管的表面粗糙度的影响因素
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月17日
- 点击数：1721
由晶相检验结果可知，外来的杂质颗粒会严重影响CVD 钨管的表面粗糙度。杂质颗粒越大，影响越显著。
沉积层在有杂质颗粒存在的地方呈现放射状的柱状晶。
当杂质颗粒存在沉积基体表面时，因为杂质颗粒的存在，该部位反应气体的流动状态会发生改变，导致该部位的生长速度较快，从而获得横向生长空间，而且，这种优势还会进一步扩大。并且，最终会导致沉积表面粗糙度增大。
沉积生长晶粒间的相互干涉也会影响CVD 钨管的表面粗糙度。为改善钨管表面的光滑度，可采用在沉积过程中间断通入六氧化氟的方法。
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CVD 钨管的表面粗糙度
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月17日
- 点击数：1464
钨管的表面粗糙度受沉积温度的影响显著，其粗糙度随沉积温度的升高而增加。
当沉积温度从600℃升至700℃时，钨管的表面粗糙度明显加大。所以，沉积温度应控制在600℃左右，以获得表面光洁、平整度良好的沉积钨管。
钨管的表面粗糙度主要受膜层生长表面形貌和沉积层组织的影响。若是沉积生长界面（呈现柱状晶）的稳定性较好，则膜层表面的平整度是最好的。随着温度升高到一定程度，被还原的W原子会在沉积生长界面再次形核并继续生长，也就是说，高温导致沉积层显微组织和沉积生长界面发生改变，最终导致钨管的表面粗糙程度增加。
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CVD钨管---氟化物与氯化物的对比
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月17日
- 点击数：1831
氟化物（WF6）CVD（化学气相沉积）与氯化物CVD的对比发现，氟化物CVD钨管的优点如下：
杂质含量低。大多数金属氟化物的沸点＞1000℃。所以，在恒温条件下（20-28℃左右），WF6蒸发阶段，WF6能够实现其与其他大部分伴生杂质的分离。
还原反应：WF6 + H2 → W + 6HF (125Kj/mol)
一个标准大气压下，该反应在300℃以上就能够实现；在600℃时，该反应的平衡常数已接近1。
因为该反应所需的反应温度较低，所以可以使用一般的加热设备（如不锈钢等），这使得加热设备的制作和实际操作方便了许多。即氟化物CVD方法制取钨管阶段的选择性相对较多。
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CVD钨管工艺原理
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月17日
- 点击数：2225
反应源气体：WF6
还原气体：H2
沉积基体：紫铜管
气压条件：常压下
CVD（化学气相沉积）钨管工艺原理：
首先，在恒温条件下，加热WF6并待其气化后，将其通入气体混合室中使其与氢气充分混合，然后再将其通入反应室。
通过加热紫铜管使温度上升至所需的沉积温度。
WF6和H2在紫铜管表面发生化学反应，WF6被还原为W原子。这些W原子会在紫铜管表面聚集形核并长大，最终形成钨沉积层。
WF6和H2反应的化学反应式如下：
WF6 + H2 → W + 6HF (125Kj/mol)
用气体吸收装置吸收被排出反应室的未发生反应的WF6、H2的剩余气体和生成的HF。
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化学气相沉积（制备钨管）的优点
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月17日
- 点击数：1555
因为采用CVD制备钨管具有众多优点，所以其受到冶金工业等相关人士的关注。
化学气相沉积的优点：
相比粉末冶金工艺，CVD（化学气相沉积）工艺较为简单化且稳定，可实现一次成型，因而避免了烧结、冲压、锻造等工艺过程。
沉积速度快且效率高。因为难熔金属具有原子半径大、高熔点等特性，所以不适合采用PVD（物理气相沉积）等制备技术---沉积效率低。
绕镀性好。因而可以沉积获得形状复杂的、组织致密的或是大型的零件和涂层。也容易实现管道内壁亦或是容器内壁的膜层沉积，还可以实现多层膜沉积和多组元合金膜层沉积。
沉积膜层的纯度高、致密度好且可以精确控制多组元合金膜层成分。
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