在基片溫度為800 ℃，保溫時間為15分鐘時所生長的氧化鎢納米花結構體的XRD譜圖。XRD譜圖中23.5°的衍射峰對應于單斜γ相氧化鎢結構面，而41°、58°、74°的衍射峰則對應于立方晶系的鎢單質。其中晶向為面的衍射峰較強，因而氧化鎢在晶向面上的結晶度較高，晶格常數為0.3728 nm。

Pt摻雜技術能夠使氧化鎢納米花薄膜的電致變色性能得到充分的提高，而氧化鎢納米花薄膜Pt摻雜的流程如下：

氧化鎢納米花薄膜作為一種新型材料薄膜有著其獨特的性能優勢，故其製備流程有著十分重要的作用。氧化鎢納米花薄膜的製備流程如下：

由於氧化鎢納米花中存在著接觸結，導致相互交叉的納米花具有不同的原子吸附，從而存在不同的表面電子態。不同的表面電子態將形成不同的表面電勢，並在它們的接觸結上出現表面能量勢壘。

當溫度逐漸升高至800 ℃以上時，由於鎢的熔點為3420 ℃，鎢不會被蒸發。而氧化鎢沸點為800 ℃，氧化鎢將昇華為氣相氧化鎢，並且遵循氣-固相反應模型模型，氧化鎢納米花結構體的生長機理如下：

在光催化劑的研發中，氧化鎢作為一種性質穩定、能帶結構合適的材料，能夠對其進行改造從而獲得一種可見光回應的高活性光催化劑。由於氧化鎢的價帶位置較低、禁帶寬度可變，使它具有優良的光電特性、紫外-可見光催化等特點，所以能夠替代舊有的催化劑。

氧化鎢納米花作為一種新型氧化鎢結構體，在性能上有著其獨特的優勢特點。而氧化鎢納米花的合成方法主要以種子種植法為主，其合成所需條件如下：

鎢金屬在一般情況下較為穩定，其熔點高於3400 ℃，沸點高於5700 ℃。在有氧氣的環境中，當溫度在600 ℃以上時將會被迅速氧化為三氧化鎢。通過真空熱氧化法可以製備氧化鎢材料。

氧化鎢納米花在化學中是指鎢元素的化合物，在微觀層面下形成了花狀結構，所以稱為納米花。氧化鎢納米花種子種植法即通過對定點排布在基片上的鎢顆粒種子在一定的溫度、氣壓和氣體氛圍下進行加熱和保溫實現氧化鎢三維微納米結構的定域生長。

通過在保溫溫度為800 ℃、保溫時間為15分鐘下，所放置了的氧化鎢顆粒位置所生長的氧化鎢納米花結構體高分辨電鏡圖進行分析。氧化鎢納米花微觀結構呈現出花狀結構。其結構體的直徑為3μm-5μm，氧化鎢納米花微觀結構具有規則的幾何形狀。