反應磁控濺射法製備二硫化鎢薄膜

反應磁控濺射法適用高熔點二硫化鎢薄膜的製備，是一種較為常見的二硫化鎢薄膜製備方法。該方法要求純鎢靶濺射出原子，同硫化氫（H₂S）氣體裂解出的硫離子發生反應沉積，從而成功制得薄膜。

磁控濺射法是在高真空中充入適量的氬氣（Ar），在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使氬氣發生電離的一種方法。而反應磁控濺射法是磁控濺射法較為常見的反應類型。該方法以金屬、合金、低價金屬化合物或半導體材料作為靶陰極，在濺射過程中或在基片表面沉積成膜過程中與氣體粒子反應生成化合物薄膜。

研究人員採用反應磁控濺射法在石英基片上成功製備了二硫化鎢薄膜，製備原理是採用高能惰性氣體Ar和H₂S混合氣體離子轟擊純鎢靶，濺射出的原子與H₂S氣體裂解出的硫離子發生反應後沉積在基底上形成二硫化鎢薄膜。

反應磁控濺射法製備二硫化鎢薄膜具體過程如下：

採用純度為99.95％的鎢靶，基片與耙材相距10 cm，本底真空為4x10^-4 Pa；充入H₂S與Ar混合氣體，工作壓力為1 Pa~6 Pa，濺射功率100 W，依此成功制取具有基面取向的二硫化鎢薄膜。

反應磁控濺射法適用高熔點二硫化鎢薄膜的製備，是一種較為常見的二硫化鎢薄膜製備方法。然而，該方法也存在些不足：

1.成本較高；

2.沉積效率低，不適用大規模大面積薄膜的製備；

3.製備過程中，H₂S與Ar配比等工藝參數不易掌控，因此二硫化鎢薄膜的均勻性無法確定。

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