射頻濺射法製備二硫化鎢薄膜

射頻濺射法是一種常見且簡單可行的二硫化鎢薄膜製備方法。該方法在惰性氣體中對二硫化鎢靶材不斷射頻激勵放電，從而成功製備二硫化鎢薄膜。

射頻濺射法是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材，濺射出靶材原子，從而沉積在接地的基板表面以制取薄膜。該方法用交流電源代替直流電源構成交流濺射系統，由於常用的交流電源的頻率在射頻段（5~30 MHz），所以這種濺射方法稱為射頻濺射。射頻濺射方法幾乎可以用來沉積任何固體材料的薄膜。

射頻濺射法製備硫化鎢薄膜具體過程如下：

採用純度為99.99％的二硫化鎢粉末經過壓制燒結製成耙材，在氬氣或氬氣的混合氣體中進行射頻激勵放電，使二硫化鎢沉積在玻璃基片上形成薄膜。本底真空為4x10^-4 Pa，充入氬氣分別至工作壓力1 pa，濺射功率30 W，沉積1 h。

射頻濺射法可以較為直接地獲得硫化鎢薄膜，製備所得薄膜緻密、與基片附著牢固、建設速率大、工藝重複性好。該方法工藝簡單，操作起來簡單方便。

然而，該方法也存在局限性：

1.二硫化鎢薄膜的化學成分不穩定。薄膜中硫和鎢的比例會隨工作壓力和濺射功率的變化發生改變；

2.二硫化鎢薄膜結晶率不高，制得薄膜一般為非晶態結構；

3.無法大規模大面積生產。由於製備過程中濺射壓力和功率等工藝參數不易控制，因此射頻濺射法仍然是實驗室製備或單件小工件生產二硫化鎢薄膜的重要方法，不適用工業上的量化生產。

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