硫化法製備二硫化鎢薄膜

硫化法製備二硫化鎢薄膜是利用硫粉或硫化氫氣體硫化氧化鎢（WO₃）薄膜的過程。隨著該方法被更多人使用研究，採用該方法制得的二硫化鎢薄膜性能也能期待收穫新的發現。

硫化法是指利用硫粉或裂解的硫化氫氣體將預先沉積在基片上的WO₃薄膜硫化。硫化的過程中，硫原子取代了WO₃主點陣中氧原子的位置形成二硫化鎢薄膜。在硫化過程中，二硫化鎢薄膜結構受到硫化時間、溫度及硫粉的量等因素影響。

A.Matthaue等人較先接觸硫化法，使硫化法製備二硫化鎢薄膜應用並發展：A.MaHhaus等利用吉布斯自由能最小化法計算了層狀化合物MoX₂和WX₂（X=Se，S）的平均蒸汽壓。這種層狀化合物具有較卨的熱穩定性，其中琉化物的熱穩定性一般要高於硒化物。正因為這種較高的穩定性，使MX₂型化合物薄膜有可能在較高的溫度和較低的硫蒸氣壓下很好的沉積在基片上。

以下是一個硫化法製備二硫化鎢薄膜的過程：

首先利用直流反應磁控濺射在3Cr13馬氏體不銹鋼基片上沉積厚度為2 x10-⁷ m的WO₃薄膜。在石英加熱爐內對WO₃薄膜進行硫化處理。製備過程中，控制3Cr13馬氏體不銹鋼的加熱相變溫度為820℃，硫化溫度低於700℃，WO₃與硫粉加熱至600℃保溫4 h，隨爐冷卻。硫化的過程中，硫原子取代了WO₃主點陣中氧原子的位置，從而成功制得二硫化鎢薄膜。

硫化法製備二硫化鎢薄膜處於實驗階段，在目前的工業生產並不常見。因此，該方法制得的二硫化鎢薄膜的某些性能，如結晶度、晶體取向和薄膜化學成分組成等仍然有待發現，需要進一步研究。

• < 前一頁
• 下一個 >