隨著積體電路（Integrated Circuit）晶片技術的飛速發展，對於微電子封裝領域也不斷提出了新的要求，日漸向著小型、輕薄、低成本以及無鉛的方向發展。再者，微電子積體電路的集成規模逐步擴大，積體電路的單位面積功率和發熱量也隨之上升，這也是微電子封裝材料面臨的最主要挑戰。目前微電子封裝複合材料主要有三大類：聚合物基複合材料（Polymer-matrix Composites，PMC）、金屬基複合材料（Metal-matrix Composites，MMC）、碳-碳複合材料（Carbon-carbon Composites，CCC）。而其中的金屬基電子封裝材料是目前研究和發展的重點方向。而向金屬基體內部添加低熱膨脹係數的高性能陶瓷或其他添加劑又可進一步提高金屬基電子封裝複合材料的綜合性能。

鎢銅電子封裝材料就是一種金屬基複合材料，他可以通過調整W和Cu之間的成分比例獲得合理的膨脹係數，進而與微電子器件中的矽片、砷化鎵等半導體材料及陶瓷材料進行很好的匹配聯結，從而避免了熱應力所引起的熱疲勞破壞。與此同時，還能獲得較好的導電導熱性能以及優異的微波遮罩功能。另外，鎢銅作為一種高效散熱的熱沉發汗材料，當工作溫度超過銅的熔點時，由於鎢的熔點遠高於銅，銅液化甚至蒸發帶走了大多數熱量，使得相關設備能夠正常工作。因此，近年來鎢銅複合材料在大型積體電路和大功率微波器件中得到了廣泛的運用，如在微處理器、微波元件、無線電通訊裝置和RF動力裝置等高新技術產品中，其極大地提高了微電子器件的使用功率，促使其進一步小型化。

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相比於常規結晶材料，納米結構鎢銅複合材料具有不同的特異性能，如更高的緻密度、更高的強度、更好的氣密性以及更為優良的導電導熱性能，因而受到了國內外相關材料研究人員的廣泛關注。經過不同工藝制得的鎢銅納米複合粉體，粉末粒度極大地細化，分散度大大提高，這都將有效地改善W-Cu系統的燒結特性，從而有利於鎢銅複合材料獲得接近完全的緻密度。

目前納米結構鎢銅複合材料的研究重點主要在製備工藝和燒結特性兩個方面。製備工藝上，國內外研究較多是機械合金化法（Mechanical Alloying）、機械-熱化學法（Mechanical Thermo-chemical Process）、噴霧乾燥法（Spray Drying Method）、溶膠-凝膠法（Sol-Gel）等工藝。有研究表明鎢銅氧化物共還原粉在高度彌散狀態下，僅依靠毛細管作用就能引起顆粒重排，從而實現完全緻密化。採用噴霧乾燥燃燒結合後續還原處理製備的納米結構鎢銅複合粉體，在銅含量在20%-40%時，通過1250℃保溫1h的燒結可以獲得緻密度98%以上；採用機械-熱化學法與液相燒結結合的方法在沒有燒結活化劑情況下，制得了平均顆粒尺寸1μm的鎢顆粒；採用機械合金化法，在較低溫度下（1100℃）液相燒結可有效強化粉體的燒結性能，這是由於鎢銅假合金中同種顆粒W-W之間的相互作用以及不同顆粒間W-Cu的相互作用。其次，從燒結特性上看，由於納米粉末的晶粒較為細小（一般粒徑不大於100nm），比表面積較大，表面活性較強，粉末之間的接觸面積也較大，燒結驅動力大，因而所需燒結溫度較低且緻密化速度快。

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真空電鍍是一種物理沉積現象。即在真空狀態下注入氬氣，氬氣撞擊靶材，靶材分離成分子被導電的貨品吸附形成一層均勻光滑的表面層。主要包括真空蒸鍍、濺射鍍和離子鍍幾種類型。它們都是採用在真空條件下，通過蒸餾或濺射等方式在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜，通過這樣的方式可以得到非常薄的表面鍍層，同時具有速度快附著力好的突出優點，但是價格也較高，可以進行操作的金屬類型較少，一般用來作較高檔產品的功能性鍍層，例如作為內部遮罩層使用。常見的塑膠產品電鍍工藝有兩種：水電鍍和真空離子鍍。真空離子鍍，又稱真空鍍膜。真空電鍍的做法現在是一種比較流行的做法，做出來的產品金屬感強，亮度高．而相對其他的鍍膜法來說，成本較低，對環境的污染小，現在為各行業廣泛採用。

該方法用鎢加熱子有以下特點：
1、真空鍍膜所獲得的金屬膜層很薄(一般為0.01~0.1μm)，能夠嚴格複製出啤件表面的形狀。
2、工作電壓比較低(200V)，操作方便，但是設備的價格比較高。
3、鍋瓶容積小，電鍍件出數少，生產效率較低。
4、只限於比鎢絲熔點低的金屬（如鋁、銀、銅、金等）鍍飾。
5、對鍍件表面品質要求較高，通常電鍍前需打底油來彌補工件表面缺陷。
6、真空鍍膜可以鍍多種塑膠如：ABS、PE、PP、PVC、PA、PC、PMMA等。

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