脈衝鐳射沉積法製備二硫化鎢飽和吸收體可靠性高、成本低廉。製備所得二硫化鎢飽和吸收體具有良好的飽和吸收特性和Q值調製能力，可用於光纖雷射器中提高鐳射性能。

單層二硫化鎢電晶體由單層二硫化鎢結合電子束光刻技術製備而成。它具備良好的光電性能，在光電子器件領域具有較大的應用價值。其中，單層二硫化鎢採用機械剝離法從二硫化鎢體材料剝離得到。

餅乾狀納米二硫化鎢的製備是通過鎢粉、硫粉和低熔點K₂HPO₄鹽三者在500℃溫度下煆燒反應來實現的。該製備方法工藝簡單、成本低廉且適用於大規模量化生產，所得產品形貌與尺寸可控。

SEI膜，是指在鋰離子電池充放電迴圈過程中，鋰電極與電解液在固液相介面上發生反應，所形成的納米級“固態電解質介面膜”（solid electrolyte interface）。