脈衝鐳射沉積法製備二硫化鎢飽和吸收體

脈衝鐳射沉積法製備二硫化鎢飽和吸收體可靠性高、成本低廉。製備所得二硫化鎢飽和吸收體具有良好的飽和吸收特性和Q值調製能力，可用於光纖雷射器中提高鐳射性能。

飽和吸收體（Saturable Absorber，SA）是鐳射諧振腔內調Q技術中使用的一種開關晶體材料。飽和吸收體對微光的吸收係數隨入射光強增大而減小，當達到飽和值時對鐳射呈現透明，利用它這種飽和吸收特性對鐳射腔內的損耗（Q值）進行調製，並發射脈衝，產生的脈衝寬度在幾納秒甚至幾十皮秒量級。

由於具備獨特的帶隙結構和可調諧帶隙，二硫化鎢對光具有飽和吸收特性。當厚度減至單層時，它呈現出直接能量帶隙，更易與光相互作用。因此，二硫化鎢可製成飽和吸收體，然後用於新型光纖雷射器中提高其鐳射性能。

脈衝鐳射沉積（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被稱為脈衝鐳射燒蝕（Pulsed Laser Ablation，PLA），是一種利用鐳射對物體進行轟擊，然後將轟擊出來的物質沉澱在不同的襯底上，得到沉澱或者薄膜的一種手段。

二硫化鎢飽和吸收體（WS₂ SA）可採用PLD法製備得到。該製備方法具有可靠性高、製備可控、成本低廉和批量製備的優點。

例如，在某一基於二硫化鎢的全光纖被動調Q摻鉺光纖雷射器研製過程中，研究人員將WS₂均勻生長在拉錐光纖表面得到WS₂ SA，該過程採用PLD法。拉錐光纖由單模光纖（SMF-28）拉錐設備製造而成，其腰部直徑為20 μm，錐腰長度為3 mm。不僅如此，他們還在WS₂ SA表面鍍一層金膜以防止其被外界環境氧化，進而增強它的穩定性和抗干擾能力。二硫化鎢表面金膜的厚度約為180 nm。制得的WS₂ SA具備良好的飽和吸收特性和Q值調製性能，其調製深度約為15.2％，飽和強度為2.84MW/cm²，非飽和損耗為78％。

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