17种稀土元素名称的由来及用途浅说-镝
- 分类：稀土知识新闻价格
- 发布于 2015年12月25日
镝（Dy）
1886年，法国人波依斯包德莱成功地将钬分离成两个元素，一个仍称为钬，而另一个根据从钬中“难以得到”的意思取名为镝（dysprosium）。镝目前在许多高技术领域起着越来越重要的作用，镝的最主要用途是:
（1）作为钕铁硼系永磁体的添加剂使用，在这种磁体中添加2~3%左右的镝，可提高其矫顽力，过去镝的需求量不大，但随着钕铁硼磁体需求的增加，它成为必要的添加元素，品位必须在95～99.9%左右，需求也在迅速增加。
（2）镝用作荧光粉激活剂，三价镝是一种有前途的单发光中心三基色发光材料的激活离子，它主要由两个发射带组成，一为黄光发射，另一为蓝光发射，掺镝的发光材料可作为三基色荧光粉。
（3）镝是制备大磁致伸缩合金铽镝铁（Terfenol）合金的必要的金属原料，能使一些机械运动的精密活动得以实现。
（4）镝金属可用做磁光存贮材料，具有较高的记录速度和读数敏感度。
（5）用于镝灯的制备，在镝灯中采用的工作物质是碘化镝，这种灯具有亮度大、颜色好、色温高、体积小、电弧稳定等优点，已用于电影、印刷等照明光源。
（6）由于镝元素具有中子俘获截面积大的特性，在原子能工业中用来测定中子能谱或做中子吸收剂。
（7）Dy3Al5O12还可用作磁致冷用磁性工作物质。随着科学技术的发展，镝的应用领域将会不断的拓展和延伸。
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中钨在线：团聚平安夜，共庆圣诞节
- 分类：钨业新闻
- 发布于 2015年12月25日
期待已久的圣诞节终于来临，公司于昨日举行“团聚平安夜，共庆圣诞节”活动，全体员工热情参加，欢度圣诞。
象征平安的平安果摆放在每个员工办公桌上，装扮的五彩缤纷的圣诞树也在闪闪发光，公司给每位员工分派了圣诞帽，更有圣诞老人的扮演者一身红衣，喜气洋洋，一派节日气氛。
圣诞前夜员工集体制作晚餐，公司董事长韩先生亲自为员工烤制火鸡，现场气氛浓厚，结束晚餐后圣诞老人分发礼物，并组织员工免费观看电影，度过了一个欢乐的圣诞。
本次活动增强了公司员工间的凝聚力，平日工作的紧张心态得以放松，有助于员工更好的进行工作，对公司的整体运营向上具有推动作用。
装扮好的圣诞树
丰盛的圣诞晚餐
员工一起欢乐进餐
圣诞老人分发礼物
公司集体合影
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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能3/3
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月25日
三氧化钨（WO3）陶瓷的赛贝克（Seebeck）系数受金属氧化物掺杂影响。金属氧化物氧化镧（La3O2）、氧化锡（SnO2）以及氧化铜（CuO）掺杂的WO3陶瓷，Seebeck系数都随着温度升高而逐渐增大，且都为负值，说明三者都为n型热电材料。SnO2与CuO掺杂WO3陶瓷Seebeck系数绝对值都在不同程度上提高，由于SnO2本身就具有很高的Seebeck系数，因此掺杂SnO2的WO3陶瓷的Seebeck系数绝对值会随着掺杂浓度增加而变大，而掺杂CuO的WO3陶瓷当掺杂浓度为1.0mol%时样品具有最高的Seebeck系数绝对值。掺杂La3O2的WO3陶瓷Seebeck系数绝对值在不同的程度上都要比纯WO3陶瓷小，这是因为掺杂La3O2后导致电子浓度增加，因为Seebeck系数与电子浓度成反比关系，所以降低了Seebeck系数绝对值。三者的Seebeck系数绝对值都会随着温度的升高而变大。
受金属氧化物掺杂的影响，三氧化钨（WO3）热电功率因子会发生改变。La3O2掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高了很多，可是功率因子随着掺杂浓度的增大又成下降趋势，La3O2掺杂虽然提高了WO3陶瓷的电导率，但同时也降低WO3陶瓷Seebeck系数绝对值，导致不同掺杂浓度的WO3陶瓷功率因子相差很大，当掺杂浓度为0.5mol%时，功率因子最大。SnO2掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高了很多，因为SnO2本身具有良好的热电性能，所以掺杂SnO2的WO3陶瓷具有很高的电导率与Seebeck系数绝对值，当掺杂浓度为10.0mol%时，功率因子最大。CuO掺杂导致WO3陶瓷的功率因子提高很多，CuO掺杂同时提高了WO3陶瓷的电导率与Seebeck系数绝对值，因此功率因子得到了很大程度上的提高，当掺杂浓度为1.0mol%时，功率因子最大。
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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能2/3
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月25日
选用氧化镧（La3O2）、氧化锡（SnO2）以及氧化铜（CuO）金属氧化物掺杂三氧化钨（WO3）陶瓷，分析这三种掺杂WO3陶瓷微观结构的影响。低浓度La3O2掺杂明显促进了WO3晶粒的生长，，掺杂后晶粒的尺寸都变大了，但是当掺杂的浓度继续上升时，晶粒尺寸开始变小，晶粒生长又被抑制了；SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长，使晶粒的尺寸明显小于未掺杂WO3陶瓷，而且随着浓度增加逐渐变得更小；而CuO却促进了晶粒的生长，而且随着浓度增长而变大。La3O2与SnO2的掺杂使得WO3陶瓷的孔隙率变小并且随着掺杂浓度增加更变小，而CuO的孔隙率在掺杂浓度为1.0mol%左右到达小。随着掺杂浓度的增加，掺杂La3O2与CuO会存在同一种现象，即掺杂浓度大于溶解度都会出现第二相，分别为La2WO6、CuWO4，第二相都是由掺杂物与WO3发生反应生成的，这点与铁系金属氧化物类似；而掺杂SnO2出现的第二相为SnO2，这点与铁系金属氧化物、氧化镧以及氧化铜都不同，比较特别。
掺杂La3O2、SnO2及CuO对WO3陶瓷电导率的到影响。掺杂La3O2和CuO明显增加WO3陶瓷的电导率，随着掺杂浓度的增加，电导率上升至最大数值后开始下降，La3O2与CuO掺杂浓度分别为0.5mol%与5.0mol%时，WO3陶瓷具有最大电导率，电导率出现下降是因为掺杂浓度上升在WO3陶瓷晶界上产生第二相，使得晶界间的流动性降低，同时也使得晶粒间的空隙附着于晶界附近，导致电导率下降。而掺杂SnO2的WO3陶瓷虽然也会因为掺杂浓度增加在晶界间出现第二相即SnO2，但是SnO2具有更好的电导率，所以WO3陶瓷的电导率会继续上升，浓度为10.0mol%时出现最大电导率。而且三者的电导率都会随着环境温度的上升而增加。
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金属氧化物掺杂影响三氧化钨陶瓷热电性能1/3
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月25日
当发现某种材料具有新的特性时，研究者一方面会想怎么将这种材料直接用于产品制作，另一方面会想着通过什么方式去增强这种材料这一方面的性能，提高利用效率。一般从这三方面入手来增强材料性能：更新材料的制备流程、改进制备工艺参数；掺杂或者合成复合材料；材料热处理。掺杂是改善材料某一特性最直接、有效的方式，本文主要目的是为了探究掺杂能否改善三氧化钨（WO3）陶瓷的热电性能。
既然掺杂目的是为了提高WO3陶瓷的热电性能，而电导率是判断热电性能高低的一项总要指标，在一般情况下电导率与热电性能高低是成正比的，因此选择电导率普遍比较好的金属氧化物来作为掺杂物。之前在《铁系金属氧化物掺杂对三氧化钨陶瓷热电性能影响》文章中探究的是铁系金属氧化物氧化铁、氧化钴和氧化镍的掺杂对WO3陶瓷热电性能的影响，本文选的掺杂物是铁系金属以外的氧化镧（La3O2）、氧化锡（SnO2）以及氧化铜（CuO）这三种金属氧化物。制备掺杂三氧化钨陶瓷的过程。本文采用将掺杂物与三氧化钨固体混在一些研磨成粉，研磨后的粉末经过干燥、预烧、混合浆料后烧结成陶瓷片。从微观结构、电导率、赛贝克（Seebeck）系数以及功率因子这四个方面来作比较，对比掺杂前后WO3陶瓷的变化以及三种掺杂陶瓷在这四个方面上得区别，从而得出哪种掺杂物对WO3陶瓷热电改善效果最佳。
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一种钨粉自动放料平台
- 分类：钨专利技术
- 发布于 2015年12月25日
本文涉及一种钨粉生产工具，特别涉及一种钨粉自动放料平台。为了克服现有技术中钨粉质量因K、Si影响而降低的缺点，本实用新型提供了这样一种钨粉自动放料平台，包括有进料腔、摊铺腔，进料腔下端设在摊铺腔内，在进料腔上端设有进料口和氢气进口，在进料腔下端设有开口，在开口上设有分料网。有益效果：本实用新型达到了克服了K、Si对钨粉粉粒的影响和提高了钨粉的粒度的效果。
钨粉生产过程中，因钨粉在常温下不会与氧气发生反应，所以现有的自动放料平台没有考虑采用在密封状态下进行平铺放料，一般采用开方状态下进行平铺放料，但钨粉含有K、Si能促进钨粉颗粒长大的杂质。在氧气的作用下易进一步激活K、Si，从而促进钨粉粒度长大。为了防止钨粉被二次污染，需要在相对干净的环境内对钨粉进行平铺放料，以提闻鹤粉的质量。
一种钨粉自动放料平台，其特征在于，包括有进料腔、摊铺腔，进料腔下端设在摊铺腔内，在进料腔上端设有进料口和氢气进口，在进料腔下端设有开口，在开口上设有分料网； 所述的摊铺腔内设滑动杆、螺旋杆、及设在滑动杆下方的装料盘，滑动杆二端固定在摊铺腔内壁上，在滑动杆上设有滑块，滑块上设有分散孔，螺旋杆—端与摊铺腔内壁活动连接、另一端与摊铺腔外的变频驱动设备机械连接，螺旋杆上的螺纹与滑块上侧壁上的螺纹相互啮合； 所述滑块上的分散孔通过布袋与进料腔下端开口连通。
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2015年9月中国钨品出口量统计表
- 分类：钨统计资料
- 发布于 2015年12月25日
单位：千美元
|
商品名称 |
计量单位 |
9月 |
1至9月累计 |
比去年同期±% |
累计比去年同期± |
||||
|
数量 |
金额 |
数量 |
金额 |
数量 |
金额 |
数量 |
金额 |
||
|
钨品 |
吨 |
1,898 |
46,628 |
12,981 |
412,543 |
6.4 |
-34.3 |
-17.6 |
-36.6 |
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电解法制备三氧化钨 2/2
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月25日
采用直流磁控溅射法在ITO导电玻璃上沉积三氧化钨薄膜，氧分压、溅射功率、温度对单层结构三氧化钨薄膜形貌组成和电致变色性能的影响。为了优化薄膜的电致变色性能，根据单层膜研究结果，在单层薄膜的基础上制备了双层结构的三氧化钨薄膜，研究了薄膜形貌组成对薄膜电致变色性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见光分光光度计、电化学工作站多种测试手段，对薄膜的组成、形貌、光谱和电化学性质等进行了分析。研究结果表明，不同溅射条件下制备的三氧化钨薄膜均为非化学计量比（O/W<3）。氧分压越高，制备的三氧化钨薄膜中O/W越大。氧分压为85%时，制备的三氧化钨薄膜具有较优的电致变色性能。
对溅射功率的研究结果表明，在50W～100W的范围内，溅射功率越大，薄膜的致密度和粗糙度增加。适当提高溅射功率可以改善薄膜的电致变色性能。室温条件下，氧分压85%、功率100W和120W时制备的非晶三氧化钨薄膜微观形貌具有明显差异，且都具有较好的电致变色性能。着色前后三氧化钨薄膜的最大透过率变化分别为74%和86%，着色/褪色响应时间分别为9.6s/2.9s和9.3s/3.9s，着色效率分别为45.07cm2•C-1和43.11cm2•C-1。制备的单层纳米结构三氧化钨薄膜透过率调制能力和着色效率均达到较高水平，满足自适应伪装要求。
磁控溅射靶材表面的磁场及电子的运动轨迹
在350℃下溅射制备的三氧化钨薄膜为单斜晶态，提高溅射温度会降低薄膜中的O/W。循环200次后，晶态三氧化钨薄膜的稳定性可达到99%。在单层结构薄膜研究的基础上制备了三种不同结构和组成的双层结构三氧化钨薄膜，测试结果表明：薄膜的形貌和组成会直接影响薄膜的电致变色性能。在制备的双层样品中，上层疏松下层致密的双层结构电致变色薄膜电致变色性能最好。疏松结构有利于离子的扩散，提高薄膜的响应时间，致密结构可提高薄膜的离子存储能力。该种双层结构三氧化钨薄膜的循环稳定性、透过率变化、着色效率、着色/褪色响应时间分别为84%、74%、19.86cm2•C-1和64.6s/99.7s。
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WO3浓度和搅拌速度对制取仲钨酸铵的影响
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月25日
试验在10L反应锅中进行，采用夹套蒸汽加热，电接点温度计控制温度，转速调节器控制搅拌速度，每次试液体积为8L，试液经结晶过滤后，所得APT晶体在100℃下烘干，其松装密度用常规法测定，平均粒度用费氏粒度仪测定，粒度分布用筛分法测定，结晶形貌用显微镜观察。
钨酸铵溶液中WO3浓度的影响
由图l可以看出，APT的松装密度随着溶液中WO3浓度的降低而增大，当WO3浓度降低到一定程度时，APT的松装密度变化不明显。这说明当溶液中WO3浓度较高时，过饱和度太。晶核形成速度快，结晶颗粒不易长大。当溶液中WO3浓度较低时，蒸发过程中溶液的过饱和度变化不明显，其过饱和度小因而有利于晶核长大。但当溶液中WO3浓度太低时，过饱和度太小，晶核与溶质分子的接触机会少，影响晶粒的长大。
搅拌速度的影响
试验结果见图2所示。搅拌影响晶核形成速度的情况是复杂的，一方面，搅拌速度的加快，使新形成的晶体被搅碎而形成许多晶核，产品粒度变细，另一方面，在一定搅拌速度范围内，提高搅拌速度能增加固体与液体间的相对速度，从而增加晶核长大的速度。要制取粗颗粒APT，最佳转速是使生成的APT不至于沉淀，使形成的APT颗粒能充分与溶质接触。试验还发现，用不同的搅拌桨搅拌，由于搅拌强度不同，其效果也不一样。搅拌对制取不同颗粒度APT的影响很大，用气体搅拌制取的APT更为规则。对不同的生产条件，一般需通过实践来确定合适的搅拌形式和速度。
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仲钨酸铵结晶母液的回收利用 3/3
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月25日
方法三：M115-a选择性沉淀法
M115-a是近些年刚开发的一种新型试剂，因其在解决钨钼分离这一长期困扰钨工业难题上发挥了显著的作用，一投入使用，立即备受推崇。M115-a在处理钨酸钠、钨酸铵溶液同时，也能有效地处理APT结晶母液。其基本原理是利用含钨的离子和含钼的离子在结构和离子半径上的差异,加入极性化合物M115-a，M115-a优先与含钼离子和一些其他杂质离子形成难溶化合物沉淀，实现相互分离。
假设母液中Mo的质量浓度为0.1～0.5g/L，WO3质量浓度为15～18g/L，加沉淀剂M115-a后，由于钼离子沉淀下来，母液Mo含量将降至0.005g/L以下，而有价物质WO3和NH4Cl则保留在母液中，留作后续工艺流程使用。
M115-a沉淀法的巨大优势在于：能深度除杂,返回主流程的母液质量好，与传统的沉白钨工艺相比，WO3的回收率可提高10%左右，NH4Cl的利用率由0提高至70%～80%，且消除了全部废水。处理后的母液可直接返回生产工艺主流程,实现钨的回收。同时有效利用NH4Cl这一有价物质，提高经济效益。并且M115-a沉淀法处理母液具有流程和设备简单、成本低、易于掌握的特点，对经典工艺和交换工艺均适用，是一种具有广阔发展前景的方法。
仲钨酸铵结晶母液的回收利用 2/3，请见
http://news.chinatungsten.com/cn/tungsten-information/81695-ti-10585
M115-a沉淀法的巨大优势在于：能深度除杂,返回主流程的母液质量好，与传统的沉白钨工艺相比，WO3的回收率可提高10%左右，NH4Cl的利用率由0提高至70%～80%，且消除了全部废水。处理后的母液可直接返回生产工艺主流程,实现钨的回收。同时有效利用NH4Cl这一有价物质，提高经济效益。并且M115-a沉淀法处理母液具有流程和设备简单、成本低、易于掌握的特点，对经典工艺和交换工艺均适用，是一种具有广阔发展前景的方法。
仲钨酸铵结晶母液的回收利用 2/3，请见
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