随着集成电路（Integrated Circuit）芯片技术的飞速发展，对于微电子封装领域也不断提出了新的要求，日渐向着小型、轻薄、低成本以及无铅的方向发展。再者，微电子集成电路的集成规模逐步扩大，集成电路的单位面积功率和发热量也随之上升，这也是微电子封装材料面临的最主要挑战。目前微电子封装复合材料主要有三大类：聚合物基复合材料（Polymer-matrix Composites，PMC）、金属基复合材料（Metal-matrix Composites，MMC）、碳-碳复合材料（Carbon-carbon Composites，CCC）。而其中的金属基电子封装材料是目前研究和发展的重点方向。而向金属基体内部添加低热膨胀系数的高性能陶瓷或其他添加剂又可进一步提高金属基电子封装复合材料的综合性能。

钨铜电子封装材料就是一种金属基复合材料，他可以通过调整W和Cu之间的成分比例获得合理的膨胀系数，进而与微电子器件中的硅片、砷化镓等半导体材料及陶瓷材料进行很好的匹配联结，从而避免了热应力所引起的热疲劳破坏。与此同时，还能获得较好的导电导热性能以及优异的微波屏蔽功能。另外，钨铜作为一种高效散热的热沉发汗材料，当工作温度超过铜的熔点时，由于钨的熔点远高于铜，铜液化甚至蒸发带走了大多数热量，使得相关设备能够正常工作。因此，近年来钨铜复合材料在大规模集成电路和大功率微波器件中得到了广泛的运用，如在微处理器、微波组件、无线电通讯装置和RF动力装置等高新技术产品中，其极大地提高了微电子器件的使用功率，促使其进一步小型化。

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相比于常规结晶材料，纳米结构钨铜复合材料具有不同的特异性能，如更高的致密度、更高的强度、更好的气密性以及更为优良的导电导热性能，因而受到了国内外相关材料研究人员的广泛关注。经过不同工艺制得的钨铜纳米复合粉体，粉末粒度极大地细化，分散度大大提高，这都将有效地改善W-Cu系统的烧结特性，从而有利于钨铜复合材料获得接近完全的致密度。

目前纳米结构钨铜复合材料的研究重点主要在制备工艺和烧结特性两个方面。制备工艺上，国内外研究较多是机械合金化法（Mechanical Alloying）、机械-热化学法（Mechanical Thermo-chemical Process）、喷雾干燥法（Spray Drying Method）、溶胶-凝胶法（Sol-Gel）等工艺。有研究表明钨铜氧化物共还原粉在高度弥散状态下，仅依靠毛细管作用就能引起颗粒重排，从而实现完全致密化。采用喷雾干燥燃烧结合后续还原处理制备的纳米结构钨铜复合粉体，在铜含量在20%-40%时，通过1250℃保温1h的烧结可以获得致密度98%以上；采用机械-热化学法与液相烧结结合的方法在没有烧结活化剂情况下，制得了平均颗粒尺寸1μm的钨颗粒；采用机械合金化法，在较低温度下（1100℃）液相烧结可有效强化粉体的烧结性能，这是由于钨铜假合金中同种颗粒W-W之间的相互作用以及不同颗粒间W-Cu的相互作用。其次，从烧结特性上看，由于纳米粉末的晶粒较为细小（一般粒径不大于100nm），比表面积较大，表面活性较强，粉末之间的接触面积也较大，烧结驱动力大，因而所需烧结温度较低且致密化速度快。

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真空电镀是一种物理沉积现象。即在真空状态下注入氩气，氩气撞击靶材，靶材分离成分子被导电的货品吸附形成一层均匀光滑的表面层。主要包括真空蒸镀、溅射镀和离子镀几种类型。它们都是采用在真空条件下，通过蒸馏或溅射等方式在塑件表面沉积各种金属和非金属薄膜，通过这样的方式可以得到非常薄的表面镀层，同时具有速度快附着力好的突出优点，但是价格也较高，可以进行操作的金属类型较少，一般用来作较高档产品的功能性镀层，例如作为内部屏蔽层使用。常见的塑胶产品电镀工艺有两种：水电镀和真空离子镀。真空离子镀，又称真空镀膜。真空电镀的做法现在是一种比较流行的做法，做出来的产品金属感强，亮度高．而相对其他的镀膜法来说，成本较低，对环境的污染小，现在为各行业广泛采用。

该方法用钨加热子有以下特点：
1、真空镀膜所获得的金属膜层很薄(一般为0.01~0.1μm)，能够严格复制出啤件表面的形状。
2、工作电压比较低(200V)，操作方便，但是设备的价格比较高。
3、锅瓶容积小，电镀件出数少，生产效率较低。
4、只限于比钨丝熔点低的金属（如铝、银、铜、金等）镀饰。
5、对镀件表面质量要求较高，通常电镀前需打底油来弥补工件表面缺陷。
6、真空镀膜可以镀多种塑料如：ABS、PE、PP、PVC、PA、PC、PMMA等。

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