氧化钨基薄膜应用于光存储方面
- 分类：钨业知识
- 发布于 2014年8月27日
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氧化钨的应用十分广泛，该材料的应用也集中在高密度和超高密度的存储材料方面。氧化钨作为一种过渡金属氧化物，具有很强的拉曼散射能力，可用谐振腔探测器来探测这种拉曼位移信号。由于谐振腔探测器的线很窄，若在基片上制备出含有多种过渡金属氧化物的混合膜，则用谐振腔探测器就可一次读出混合膜中所有过渡金属氧化物的拉曼位移信号，这将大大提高光存储密度，最为常见的氧化物薄膜就数氧化钨基薄膜。
有研究显示，氧化钨薄膜在短波长激光的作用下，能快速发生光色变化，其重要特点之一是载噪比高，例如当激光波长为532nm时氧化钨基薄膜的反射率约为93%，其他薄膜的反射率为35%。氧化钨基薄膜响应灵敏，写入速度快，仅需2ns，由此可见，氧化钨基薄膜的短波长一次写入光记录行为在速度和信号清晰度上都优于已有的无机或有机光存储材料。
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氧化钨应用于气体灵敏检测
- 分类：钨业知识
- 发布于 2014年8月27日
- 点击数：2228
氧化钨是一种外观呈黄色的斜方晶体，加热时颜色变深，密度7.16，熔点1473℃。不溶于水和酸（除氢氟酸），能缓慢地溶于浓碱溶液。氧化钨具有气体敏感性，用于检测二氧化氮，氨气等有毒气体的检测。已经制备了氧化钨薄膜气敏传感器和氧化钨的纳米颗粒传感器，纳米传感器的发现大大的提高了对于低浓度有毒气体的检测。氧化钨基气敏材料的研究最早见于报道1967年。当时是通过采用真空蒸发技术获得钨薄膜后，经600-700℃加热氧化，制得氧化钨薄膜。随后用喷涂少量Pt的方法来增强氧化钨对氢气及含氢气体（如：N2H4、NH3、H2S等）的气体灵敏度。
当氧化钨半导体暴露于空气中时，会吸附空气中的氧气，在一定温度下，氧气会从半导体导带中夺取电子形成化学吸附态的氧气，从而使得氧化钨半导体的电阻更大。当氧化钨半导体与其他被测气体接触时，被测气体也会以不用的途径与氧化钨交换电子，从而达到降低氧化钨电阻实现灵敏检测的目的。
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WO3/ZnO复合物光致变色性质
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- 发布于 2014年8月27日
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检测WO3/ZnO複合物光致变色性质，是通过取一定质量的合成产物，均匀地涂在载玻片上，放在紫外灯下照射2h，然后将粉末分散于无水乙醇中。利用紫外-可见光光度计测量合成产物光致变色前后其紫外光谱的变化。
首先，将ZnO掺杂量分为1%、3%、4%、5%、7%的WO3/ZnO复合物样品分别置于紫外灯下照射2h，光照射前的合成产物是淡黄色的，照射后合成产物均变为蓝色。用紫外-可见分光光度计进行了测定，合成产物的光致变色前后在最大吸收波长处的吸光度差值设为△OD，用△OD来表示合成产物的光致变色效率。
检测结果显示：
△OD（1%）=0.85，△OD（3%）=0.98，△OD（4%）=1.22，△OD（5%）=1.73，△OD（7%）=1.10.随着ZnO的掺杂质量增加，△OD的值逐渐增大，ZnO的掺杂质量为5%时，△OD的值为最大，也就是说光致变色响应度最强，但是，ZnO的掺杂质量为7%时，△OD的值降低，光致变色响应度减弱。
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制备WO3/ZnO复合物
- 分类：钨业知识
- 发布于 2014年8月27日
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复合半导体的研究日益受到重视，复合半导体克服了单一半导体量子效率低的缺点，增加了材料的比表面，增加了活性位置，改善了光催化反应的动力学条件，扩展了光响应的范围。目前，半导体复合研究正在向二元复合及多元复合方向发展。以下介绍二元复合物WO3/ZnO的制备方法。
首先按照质量百分含量为1%、3%、4%、5%、7%的比例，分别称取一定质量的氯化锌溶于0.1mol/L的NaOH溶液，搅拌1h使之反应完全，离心，得到白色絮状沉淀，用蒸馏水、乙醇反复洗涤沉淀3-4次，制得Zn（OH）2溶液。接着称取1.0000g钨酸钠溶于10mL蒸馏水，搅拌均匀，将2mL上述溶液逐滴滴入浓度为4mol/L的盐酸中，搅拌2h使之反应完全，离心得到淡黄色沉淀，同样用蒸馏水、乙醇反复洗涤沉淀3-4次，获得H2WO4溶液。然后，将制得的Zn（OH）2溶液与H2WO4溶液再无水乙醇中混合，充分搅拌，离心，得到淡黄色的沉淀，在烘箱中60℃干燥6h，得到WO3/ZnO复合物。
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三氧化钨复合物电化学性质
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- 发布于 2014年8月27日
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为了更进一步解释三氧化钨复合物随着三氧化钼的掺杂质量增加，合成产物的光致变色效率逐渐提高这个现象，测试了合成产物的电化学性质，
首先将0%-12%三氧化钼含有量的三氧化钨复合物在浓度为0.1mol/L的硫酸中进行电化学循环反应，循环曲线在0.3V-1.3V范围内以0.01mV/S的扫描速度进行。从反应图可以看出，在循环伏安曲线中只存在一个还原峰，这个现象可以接受为三氧化钨与三氧化钼中W、Mo元素为最高价六价，不可能继续呗氧化，但是可以被还原为五价。继续分析图可知，三氧化钼含有量的三氧化钨复合物含有量为0%、5%、8%、10%、12%时样品的还原峰的电位依次增大，由于还原曲线是从高电位向低电位扫描的，还原峰的电位越大，说明样品杯还原所需要的电力越小，样品越容易被还原，其氧化性也越强。也就是说，随着三氧化钼的掺杂量质量增多，合成产物三氧化钨复合物的氧化性增强，电化学性质提高，越容易还原为W离子和Mo离子。
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