发展钨铜复合材料的重要意义
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月08日
- 点击数：1355
钨铜复合材料由高熔点、高密度及低膨胀系数的钨和高导电、高导热的铜组成，兼具二者的优越性能，如具有高导电导热性能、低膨胀系数、良好的高温 强度和抗电弧烧蚀性能等。早在上世纪三十年代，钨铜复合材料由于其良好的耐压强度和耐电烧蚀性能，在高压电器开关等工业部门获得了广泛应用。进入六十年代，钨铜复合材料逐渐在电阻焊电极、航空航天耐高温零部件等领域获得应用。此后，随着制备技术的逐步提高，于九十年代作为电子封装和热沉材料开始在大规模 集成电路和大功率电子器件等领域获得了广泛应用。进入二十一世纪，钨铜复合材料更是作为破甲弹药罩材料、导弹喷管材料及靶材等在军事及高新技术领域引起关注。
现在，钨铜复合材料由于其良好的导电、导热性能及优异的热稳定性，已成为大功率微波器件和超大规模集成电路基片、嵌块、连接件及散热元件等不可 缺的关键材料，其高导热、高热稳定性及良好的近净尺寸成形性，可提高微电子器件的使用功率，有利于实现器件的小型化和精密化发展。钨铜复合材料的低热膨胀 系数及其热膨胀系数的可调节性，有利于其与微电子器件中硅片、砷化镓等半导体材料及管用陶瓷材料的连接匹配，避免热应力导致的热疲劳破坏，拓宽了钨铜复合 材料在微电子领域的应用范围。
钨铜复合材料由于其高导电、导热性能，良好的抗电弧、抗摩擦及热稳定性等，早已在电磁炮导轨、火箭导弹喷管喉衬及燃气舵等高温领域获得重要应用。近年来，钨铜复合材料逐渐被用作破甲弹药罩材料，其高密度、高声速及良好的力学性能，有利于提高破甲弹的破甲威力。
钨铜复合材料是一种重要的粉末冶金材料，目前广泛应用的制备方法之一是“熔渗法”。溶渗法制备的钨铜材料具有致密度 高，烧结性能好，导电、导热性能理想等优点。
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钨合金镀金制品电镀工艺
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月08日
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电镀是指在含有预镀金属的盐类溶液中，以被镀基体金属为阴极，通过电解作用，使镀液中预镀金属的阳离子在基体金属表面沉积出来，形成镀层的一种表面加工方法。
工艺过程
一般包括电镀前预处理，电镀及镀后处理三个阶段。
完整过程：
1、浸酸→全板电镀铜→图形转移→酸性除油→二级逆流漂洗→微蚀→二级 →浸酸→镀锡→二级逆流漂洗
2、逆流漂洗→浸酸→图形电镀铜→二级逆流漂洗 →镀镍→二级水洗→浸柠檬酸→镀金→回收→2-3级纯水洗→烘干
工艺要求
1. 镀层与基体金属、镀层与镀层之间，应有良好的结合力。
2. 镀层应结晶细致、平整、厚度均匀。
3. 镀层应具有规定的厚度和尽可能少的孔隙。
4. 镀层应具有规定的各项指标，如光亮度、硬度、导电性等。 5. 电镀时间及电镀过程的温度，决定镀层厚度的大小。
5.环境温度为-10℃～60℃;
6.输入电压为220V±22V或380V±38V;
7.水处理设备最大工作噪声应不大于80dB(A)。
8.相对湿度(RH)应不大于95%;
9.原水COD含量为100mg/L～150000mg/L。
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钨合金镀金制品如何防蚀
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月08日
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钨合金镀金制品虽然具有很高的耐腐蚀性，但也会出现表面镀金层被腐蚀的现象，要提高钨合金镀金制品的防蚀效果，需在制程及环境就开始注意。
a.降低孔隙度﹕
1)降低电流密度﹐使电镀结晶更细腻
2)增加电镀时的搅拌能力﹐降低针孔发生率
3)使用脉冲整流器﹐让镀层结晶颗粒细致﹐孔隙缩小。
4)使用封孔剂
b.加强环境
1)电镀完后﹐必须用纯水清洗干净
2)生产后产品尽量不要用手直接接触镀层
3)电镀后之制品应马上撤出电镀现场
4)储存及加工环境应保持恒温﹑低湿度﹑干燥的空气﹐必要时装设空调﹐除湿机﹐防止灰尘进入。
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钨酸钙纳米晶的制备及性能-4结论
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月08日
- 点击数：1523
结 论
(1)以Na2WO4・2H2O和Ca(NO3)2・4H2O为原料,加表面活性剂PEG200,可以合成CaWO4纳米晶。
(2)IR光谱图中3420cm-1处的吸收峰是由于O-Ca键的形成导致PEG200中3343cm-1处O-H键的吸收峰红移而出现的。
(3)PEG200对CaWO4纳米晶间的分散作用是由于O-Ca键的形成导致的。
(4)在265nm波长光的激发下,CaWO4纳米晶的光致发光谱表现出一峰位约位于403nm处的宽化的蓝色发光带,其峰位与块体材料相比发生了蓝移。
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钨酸钙纳米晶的制备及性能-3结果与讨论(3)光致发光性能分析
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- 发布于 2015年7月08日
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光致发光性能分析
图4是合成的CaWO4纳米晶的光致发光谱,激发波长为265nm。由光致发光谱可知,在265nm波长光的激发下,CaWO4表现出一峰位约位于403nm处的宽化的蓝色发光带。蓝色发光带是CaWO4的本征发光带,其中心结构对应于受扰动的WO42-基团,是由于电子在WO42-离子团内的跃迁导致的。与CaWO4块体材料相比,其蓝色发光带峰位由420nm蓝移到403nm,这种蓝移现象与纳米颗粒的特性有关。
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