由Ag-WC-C触点谈碳化钨粉
- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年7月30日
- 点击数:1260
Ag-WC-C触点的制备需要用到碳化钨粉作为其原材料,以下是关于碳化钨粉的部分相关知识。
表示W-C(碳化钨)非化学计量成份的是立方WC1-X;
表示W-C化学计量成份的有:六方WC,六方W2C。在室温条件下,六方WC是唯一稳定的。
六方WC的晶胞结构是交错三角棱状,为非中心对称的结构,该结构的存在导致了其微观硬度的高度各向异性,其晶格常数a=2.916×10-10m(六方,a=b),c=2.844×10-10m。现如今,碳化钨的主要运用是用来制造高质量的硬质合金,也可以用来触点材料、金属涂覆和金属陶瓷等领域。
晶格常数(lattice constant),也称晶格参数,指的是晶胞的边长,与原子间的结合能有直接的联系,是晶体结构的一个重要的基本参数,其变化可以反映晶体内部成分和受力状况等的变化。
有研究表明,碳化钨的机械性能不仅与其成分和烧结工艺有关,而且与其显微晶相结构也密切相关。目前,制取碳化钨粉末方法主要有:
(1)先制备钨粉,然后加炭碳化,获得碳化钨粉;
(2)直接从含钨化合物中进行碳化制取碳化钨粉。
但是,以上两种方法存在共同的缺点是,都需很高的碳化温度(1300~2000℃),制备工艺复杂,成本较高,且一般情况下制得的碳化钨是类球状。采用这种碳化钨粉来制备板状强化碳化钨粉,需要经过特殊的烧结工艺才能使WC晶粒长大成板状,而其定向效果并不理想。
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稀土三掺钨酸钙多晶上转换发光测试稀土离子浓度对发光强度的影响2
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- 发布于 2015年7月30日
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以下为稀土三掺钨酸钙Zn0.1Ca0.9WO4:Ho3+/Tm3+/Yb3+多晶上转换发光测试中稀土离子浓度对发光强度的影响。
由表3可知,随着稀土离子浓度的变化,蓝、绿、红三色光上转换发光强度变化显著。对表3所得数据进一步分析处理,分析结果如表4所示。
根据无相互作用正交实验数据分析结果,表中极差R表示单因素的改变对相应发光强度的影响程度,R值越大,表示影响程度越大。由表5-4可以看出,A因素(Tm3+离子)对上转换蓝光发射强度影响最大,其次为B因素(Ho3+离子)及C因素(Yb3+离子),这是由于上转换蓝光主要是由Tm3+离子的1G4→3H6能级跃迁产生的,而Ho3+离子的掺杂阻碍了Yb3+离子对Tm3+离子的敏化作用,因此也能对发光强度造成较大的影响;B因素(Ho3+离子)对上转换绿光发光强度影响最大,因为上转换绿光是由Ho3+离子的5S2,5F4→5I8能级跃迁产生的,Tm3+离子虽然不参与上转换绿光的发射,但其阻碍了Yb3+离子对Ho3+离子的敏化作用,因此也对绿光发射有一定的影响;影响红光发光强度的显著因素是A因素(Tm3+离子)和C因素(Yb3+离子),说明Ho3+离子的5F5→5I8和 Tm3+离子的1G4→3F4能级跃迁共同导致了上转换红光的发射,但Tm3+离子的浓度变化对红光发光强度影响较大,Ho3+离子浓度的改变对红光发光强度几乎没有影响,Yb3+离子作为敏化剂为Ho3+离子和Tm3+离子传递能量。
随后我们对发光数据进一步分析处理,得到Ho3+、Tm3+、Yb3+三种离子浓度的改变对三色光发光强度的影响,分析结果如图4所示。
由图4可知,随着Tm3+离子浓度的增大,上转换蓝绿红光发光强度均减弱;Ho3+离子浓度的增加使上转换蓝光和红光发光强度减弱,上转换绿光发光强度先增大后减小;相比之下,Yb3+离子浓度的改变对蓝绿红三色光发光强度影响很小。因此,适当降低Tm3+离子浓度有利于上转换三色光强度的增加;减小Ho3+离子浓度能使上转换绿光强度降低,红光和蓝光强度增加,有利于调节蓝绿红三色光比例,此结果为上转换白光的输出提供了依据。
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稀土三掺钨酸钙多晶上转换发光测试稀土离子浓度对发光强度的影响1
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- 发布于 2015年7月30日
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以下为稀土三掺钨酸钙Zn0.1Ca0.9WO4:Ho3+/Tm3+/Yb3+多晶上转换发光测试中稀土离子浓度对发光强度的影响。
利用高温固相反应法合成了正交体系中1#~9#样品,然后进行上转换发光测试,所得谱图如图1、2、3所示。
由图1、2、3可知,Zn0.1Ca0.9WO4:Ho3+/Tm3+/Yb3+多晶分别在475nm、549nm和650/659nm处出现蓝光、绿光和红光发射峰,随着稀土离子浓度的改变发射峰强度随之变化。根据第四章对稀土离子双掺Zn0.1Ca0.9WO4多晶的分析可知,蓝光发射峰是由Tm3+离子的1G4→3H6能级跃迁产生的;绿光发生峰是由Ho3+离子的5S2,5F4→5I8能级跃迁产生的;650nm处红光发生峰是由Tm3+离子的1G4→3F4能级跃迁产生的,而659nm处红光发生峰是由Ho3+离子5F5→5I8能级跃迁产生的。
分别对编号1#~9#的Zn0.1Ca0.9WO4:Ho3+/Tm3+/Yb3+样品谱图峰面积进行积分,得到上转换蓝光、绿光和红光的荧光强度如表3所示。
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钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件结构
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- 发布于 2015年7月30日
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由于钨合金材料的高密度,高辐射屏蔽性及环保无毒性,其可被制造成钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件。 钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件是一个快装结构,插入件的底部接触面为滚动支撑接触面,钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件通过一限位导向结构固定安装在穿墙管中。穿墙管的底面上固定安装一基座,滚动支撑接触面设置在基座的上表面;限位导向结构包括一自定位零件,一设置在基座上表面前端的限位导向桩,以及一设置在基座上表面后端的定位导向槽,限位导向桩与定位导向槽的中心连线与插入件所导向的束线传输方向一致;插入件底部设有与一限位导向桩匹配的导向槽,插入件底部后端与定位导向槽对应位置设有一定位槽,定位槽与定位导向槽构成的槽结构与自定位零件匹配。钨合金防辐射屏蔽穿墙管插入件与屏蔽体间隙小、安装快、定位准确,方便后续重复拆装。
下图为制造防辐射屏蔽穿墙管插入件的钨合金材料:

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钨聚合物屏蔽件医疗应用
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现今很多国家已限制在核医疗器械上使用铅材料作为辐射屏蔽件,钨聚合物作为一种新兴的辐射屏蔽材料被制造出来,它能够很好地替代铅屏蔽材料被应用到放射医疗的各个方面。钨聚合物材料是新兴的环保无毒材料且可重复利用,钨聚合物作为屏蔽件使用能够避免政府法律对禁止有毒材料应用于医疗仪器的限制,能够很好地替代传统屏蔽材料铅。由于钨聚合物是由注塑成型,钨聚合材料具有很好的机加工性能,其可被加工成各种不同的形状,能够制造成各种组件,适应不同的需求。钨聚合物相对于其 他的铅屏蔽替代材料更加地耐用,并具有高密度性,有更好的辐射屏蔽吸收能力。由于钨聚合物屏蔽件是由注塑成型,可注塑成一般金属无法制造的部件,其在放射医疗设备上有更广泛的应用,钨聚合物屏蔽件可被应用于以下医疗设备中:
医疗准直器
核磁共振仪
放射源注射器
医疗电子直线加速器
医疗多页光栅
计算机X线断层摄影机(CT机)
X线治疗机
伽马刀

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