本文提出一种以离子交换法或萃取法生产出来的杂质总含量< 177.5ppm的达到国标0级APT或生产过程中产生的杂质总含量> 177.5ppm的不合格APT、APT废料、脏化料为原料，制取高纯仲钨酸铵的方法。

该方法包括下列步骤：
1.煅烧原料（不合格APT、APT废料、脏化料），生成三氧化钨；
2.将所生成的三氧化钨溶解于氨水中，生成钨酸铵溶液；
3.对所生成的钨酸铵溶液进行过滤，去除固体杂质，再蒸发结晶，获得湿仲钨酸铵晶体；
4.对所生成湿仲钨酸铵晶体进行烘干、筛分，从而获得杂质总含量< 65ppm的高纯仲钨酸铵。

特点：
1.利用现有工艺生产出来的一般的APT或不合格的APT制取高纯度的APT，是一个提纯的过程；
2.高纯度的APT满足后续APT深加工，生产高品质钨产品；
3.通过APT煅烧生产三氧化钨再氨溶解的方法，有效解决了 APT直接氨溶解过程溶解效果不好的难题；
4.APT煅烧过程更有效地除去了部分难除杂质，为生产高纯APT产品创造了条件；
5.解决了低品质APT采用碱溶解后还回主流程的做法，提高了生产过程的回收率，降低了生产成本，同时可产出高纯APT产品。

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共沉淀法是指在溶液中含有两种或多种阳离子，它们以均相存在于溶液中，加入沉淀剂，经沉淀反应后，可得到各种成分的均一的沉淀，它是制备含有两种或两种以上金属元素的复合氧化物超细粉体的重要方法。共沉淀法的优点在于：其一是通过溶液中的各种化学反应直接得到化学成分均一的纳米粉体材料，其二是容易制备粒度小而且分布均匀的纳米粉体材料。

运用共沉淀法制备三氧化钨，首先按一定比例取1mol/L的Na₂WO₄溶液和Na₂SnO₄溶液，混合均匀后缓慢滴至沸腾的稀H₂SO₄中，不断搅拌生成沉淀，在经陈化、洗涤、过滤、烘 干、煅烧得到SnO₂-WO₃气敏粉体材料。研究发现SnO₂的添加抑制了WO₃晶粒的生长，提高了其气体灵敏度，其中以0.5%的掺杂量为最佳。

研究发现溶胶-共沉淀法可制备三氧化钨，在WCl₆和TiCl（4wt%）水溶液中加入氨水和适当的表面活性剂，形成W（OH）6和Ti（OH）4，分离后煅烧，得到3~9nm的三氧化钨粉体。研究发现，颗粒度越小，粒度越均匀。颗粒团聚越小，相应的气体灵敏度越高，相应及恢复时间越短。

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固相烧结按其组元多少可分为单元系固相烧结和多元系固相烧结两类。单元系固相烧结纯金属、固定成分的化合物或均匀固溶体的松装粉末或压坯在熔点以下温度(一般为绝对熔点温度的2/3一4/5)进行的粉末烧结。单元系固相烧结过程除发生粉末颗粒间粘结、致密化和纯金属的组织变化外，不存在组织间的溶解，也不出现新的组成物或新相。又称为粉末单相烧结。

光催化是一种用于将水分解成氢和氧的催化方法。三氧化钨中的钨离子由于存在氧缺位而出现部分W⁶⁺离子还原成W⁵⁺离子，氧缺位是决定三氧化钨光催化性能的主要原因。但是由于钨氧化价态变化大，含氧量难以确定，结构相变多和电学性质复杂等原因不同晶型的光催化性质一直不能确定。

经过专家多次试验后发现，用仲钨酸铵（APT）经固相法制备的WO_3-X光催化剂，主要是由单斜相组成，它的光催化分解水性能较差。但是改变反应条件之后，它的光催化性能就能大大提升。例如当在温度600℃的条件下加热4小时会产生六方相WO_3-X，六方相WO_3-X的光分解水析氧速率最高。用H₂WO₄经固相法制备的WO_3-X光催化剂均为单斜相。且温度对于光催化性能的改变不大。所以运用H₂WO₄制备的WO_3-X光催化的性能不如用APT在600℃温度下制备的WO_3-X的光催化性能好。

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工信部将召集国家发改委等部委以及6大稀土企业集团等相关负责人开展稀土行业座谈会。业内推测此次座谈会仍会涉及收储计划的讨论。

据了解，今年1月初稀土商储的相关方案已提交审核，但是进一步的收储消息迟迟未出。

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