等离子体共振效应是一种物理光学现象。它利用光在玻璃与氧化钨薄膜界面处发生全内反射时渗透到氧化钨薄膜内的消失波,引发氧化钨中的自由电子产生表面等离子。在过去数十年中，局域表面等离子共振效应被简单的认为是贵金属纳米颗粒的光学属性，然而，随着半导体和氧化物纳米晶体中的 LSPR 的发现，这种观点正在发生变化。关于半导体和氧化钨材料的等离子共振效应多是通过掺杂贵金属来实现。

氢气环境中高温退火是得到含有氧空位的非化学计量的氧化钨结构的一种有效的方法。但是需要注意的是氢气是一种易燃易爆气体，在高温下更是容易发生爆炸。而高温条件又是必不可少的，它起到克服活化能障碍的作用。

为了进一步探究氢化后样品的形貌和结构的变化，能够通过透射电子显微镜对氧化钨进行表征。从图中可以看出，氢化温度为 300℃时，W-300 保持较好的形貌，为 100nm 左右的纳米颗粒；而氢化温度为 400℃时，W-400 尺寸明显变小，均在 50 nm 以下。

5月钨行业相关展会预告：

一、2018年上海国际高性能合金及新型金属材料展览会

举办时间：2018年5月14日-16日

举办地点：国家会展中心（上海）

氧化钨超薄纳米片的成型机理是由于临界流体具有粘度小、溶解性强、扩散性能高和易于控制等特点。所以氧化钨超薄纳米片可广泛应用于工业生产中。钨酸在乙醇/水的混合溶液中溶解度很小，而表面活性剂作为表面活性剂和钨酸之间具有较强的疏水相互作用。

电致变色是指氧化钨纳米片的光学属性（如反射率、透过率、吸收率等）在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象。在外观上表现为氧化钨纳米片颜色和透明度的可逆变化。具有电致变色性能的材料称为电致变色材料，用电致变色材料做成的器件称为电致变色器件。

近年来含有氧缺陷的氧化钨材料开始受到研究者的关注。氧化钨晶格可以承受相当大量的氧空位，表现独特的非化学计量性。氧化钨中的氧空位可以提高材料的导电性和电极活性，甚至是电极反应的一个关键因素。氧化钨中氧空位作为浅层供体可以提高它的光催化活性和电化学性能。相较于其他非化学计量的金属氧化物, 氧化钨表现出更好的热力学稳定性，在空气中只有温度高于 300℃才能产生氧空位。

二氧化钛纳米片和氧化钨复合材料的质量比为 90:10与95：5 的异质结有着不同的光化学催化活性。质量比为 90:10的异质结光电流密度为 2.6 µA，远低于质量比为95:5的异质结。也就是说二氧化钛/氧化钨异质结中氧化钨的含量并不是越高越好。

氧化钨和二氧化钛作为典型的n型半导体，均可用作光催化剂。由于具有较大的比表面积和异质结构，可以预见的是二氧化钛/氧化钨异质结应具有优异的光催化性能。

据人民日报消息：日前，中广核防城港核电二期项目建设正如火如荼，作为我国华龙一号示范项目和英国布拉德韦尔B核电项目的参考电站，防城港核电二期吸引着世界的目光。因为万里之外的伦敦，英国核能监管办公室和英国环境署已正式发函，同意华龙一号英国通用设计审查（GDA）进入第二阶段，华龙一号朝着在英国正式开工建设又迈出了重要一步。