制备氧化钨薄膜-物理气相沉积法
- 分类：钨业知识
- 发布于 2014年8月20日
- 点击数：2201
制备氧化钨薄膜-物理气相沉积法，是将原料加热至高温，使之气化，接着在较大温度梯度条件下急冷，在基片上凝聚成氧化钨薄膜的方法，其本质是系统中不发生化学变化的蒸发-凝聚法。
首先把纯度为99.9%的氧化物分末置于石英管中央，把石英管放在水平管式炉中加热，控制石英管中的温度梯度、压强和蒸镀时间可制得高纯的氧化钨，接着将高纯的氧化钨制成直径为10mm高6-10mm的圆柱靶材，随后在空气中加热至700℃保温8h。激光器功率为60KV，电流为20mA，产生波长为1064nm的激光以5HZ的频率每次持续12ns的时间，照射在12rpm的速度旋转靶上9000次。气相沉积舱的压强保持在13.3pa，基片温度为200℃，沉积得到的氧化钨薄膜厚度约为870-980nm。
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制备氧化钨薄膜-电沉积法
- 分类：钨业知识
- 发布于 2014年8月20日
- 点击数：2169
制备氧化钨薄膜的方法有很多，根据薄膜的性质与制备方法及工艺条件，用不同方法制备的氧化钨薄膜在尺寸和晶型等方面有所不同，最常见的方法除了溶胶凝胶法、溅射镀膜法较为突出的还有电沉积法。
制备氧化钨薄膜-电沉积法，是指将钨的化合物的水溶液在电场作用下，通过电极放电在电玻璃基片上析出氧化钨薄膜的电化学反应过程。
首先将6.5g纯度为99.9%的金属钨粉溶解在40ml浓度为30%的双氧水水溶液和4ml蒸馏水组成的混合溶液中，由于反应放热，烧杯置于冷水浴中并不断搅拌，以保证体系温度不超过5℃。随后，把烧杯置于冰箱中，控制温度为2℃，静置12天，使钨粉完全溶解并除去双氧水得到淡黄色的澄清溶液。温室下取部分上述溶液于等量的无水乙醇溶液混合并搅拌得到黄色的液体，该液体加热至60℃15min-20min后采用标准的三电极沉积装置，-450mV的电压下沉积10min后在FTO导电玻璃基片上得到氧化钨薄膜。
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制备氧化钨薄膜- 化学气相沉积法
- 分类：钨业知识
- 发布于 2014年8月20日
- 点击数：2124
制备氧化钨薄膜的方法有很多，根据薄膜的性质与制备方法及工艺条件，用不同方法制备的氧化钨薄膜在尺寸和晶型等方面有所不同，以下介绍化学气相沉积法：
制备氧化钨薄膜-化学气相沉积法,是利用气体原料在气相状态下通过化学反应，形成并经过成核、生长两个阶段合成薄膜、粒子、晶须等固体材料。
首先将纯度为99.9%的金属钨放在一个刚玉瓷舟中，再把瓷舟放在直径4cm，长80cm的石英管式炉中间的位置。刚玉作为沉积氧化钨的基底材料也置于刚玉瓷舟中位于下风口方向的位置，接着把石英管式炉正中温度加热至900℃时，以20sccm的流速通氧气8h，待热氧化过程结束，取出瓷舟，温室下自然冷却即可在刚玉基地上发现沉积得到的黄色的约20μm后的氧化钨薄膜。
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制备氧化钨薄膜- 溅射镀膜法
- 分类：钨业知识
- 发布于 2014年8月20日
- 点击数：2123
制备氧化钨薄膜的方法有很多，根据薄膜的性质与制备方法及工艺条件，用不同方法制备的氧化钨薄膜在尺寸和晶型等方面有所不同，最常见的方法除了溶胶凝胶法还有溅射镀膜法。
制备氧化钨薄膜- 溅射镀膜法，是通过高能粒子轰击固体表面，是固体原子（或分子）从表面射出，并沉积到衬底或工件表面形成薄膜的方法，其中磁控溅射技术具有沉积速度较高、工作气体压力较低等独特优越性，成为应用最广泛的一种溅射沉积法。
首先以纯度为99.95%的金属钨作为靶材，在氩气和氧气按1:1的体积比组成的混合气体中溅射得到氧化钨薄膜。溅射时，溅射功率为100W，基底硅片和靶材的距离为7cm。溅射2h得到的氧化钨薄膜厚度大致为0.25-0.27μm。
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制备氧化钨薄膜-溶胶凝胶法
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- 发布于 2014年8月20日
- 点击数：2308
制备氧化钨薄膜的方法有很多，根据薄膜的性质与制备方法及工艺条件，用不同方法制备的氧化钨薄膜在尺寸和晶型等方面有所不同，最常见的方法有溶胶凝胶法。
制备氧化钨薄膜-溶胶凝胶法，是将无机盐和金属醇盐溶于溶剂中通过搅拌等方式制得均匀的溶液，溶质与溶剂产生水解反应，水解经缩句反应生成颗粒并形成溶胶，在制得溶胶的基础上，可以采取浸渍提拉，旋转涂覆、喷雾裂解、丝网印刷等工艺过程制得氧化钨薄膜。
首先将纯度99%的金属钨粉溶解在30%的双氧水溶液中，由于反应放热，需把盛溶液的烧杯置于冰水中不断搅拌，并在溶液中加入铂电极以加快双氧水分解，接着把溶液防腐烘箱中60℃干燥30h，得到一种黄色的玻璃态固体。取2g淡黄色固体溶解在15ml无水乙醇中，添加微量乙酸作为催化剂得到过氧钨酸溶胶，溶胶温室下静置几天，使用浸渍提拉法镀膜，镀膜后样品在大气环境下自发水解凝聚得到氧化钨薄膜。
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