抗下垂钨丝（2）
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月02日
- 点击数：1707
抗下垂钨丝（抗下垂是指对在其自身重量变形（“下垂”）的电线的电阻在工作温度）掺杂硅，氧化铝，氧化钾钨丝，它被广泛应用于电子器件和热灯丝灯泡的灯丝，如高灯丝色温，耐热冲击性丝，如阴极管辐射。
为了使钨灯丝清晰的抗下垂性的再结晶行为进行了研究用显微镜检查和X射线衍射的装置。长丝具有凹陷性开始于一个优选的取向有关初始纤维方向在温度大约1000℃的再结晶。这个方向是在约1300℃被破坏，从而导致普通非优先多边形结构。在随后的晶粒生长，即使在相当高的温度下很慢。与此相反，与抗下垂电线此取向的再结晶被维持达2000~2100℃，随后突然粗化，其中，所述粗大的结晶侵占直接在剩余的纤维结构体。因此，粗大的结晶往往占据的线的整个横截面，并且灯丝变为最后以形成连续的链组成的单晶。这种现象被解释为抑制因粗贝克等人在1949年倡导的钨丝这种抑制作用很可能是由于掺杂材料的微量造成的。
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磁控溅射法制备三氧化钨薄膜
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月02日
- 点击数：1936
溅射法是一种物理气相沉积的一种。它是通过荷能粒子冲击固体表面，使固体原子从表面射出，并沉积到基片或工件表面形成薄膜的方法。溅射法又分为直流溅射、射屏溅射、磁控溅射、离子束溅射等等。其中磁控溅射技术是一种沉积速度较快、工作压力较低的溅射技术，因其独特的特性而被广泛应用。运用该方法制备的三氧化钨薄膜厚度从几十个纳米到几百个纳米不等。用磁控溅射法制备三氧化钨薄膜的主要控制的条件有：首先是钨靶由纯度为99.9%的钨粉压制而成, 其次衬底为透明平面玻璃(25mm),然后工作气体是氩气(>99.99%),活性气体是氧气(>99.99%),氧气和氩气的气压比为75%。最后设置工作压强是1.5Pa,溅射电流为0.12A,溅射电压为520V,靶距为7cm,溅射时间为45min。
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制备三氧化钨多维网结构
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月02日
- 点击数：1860
三氧化钨（WO3）因其独特的性质在工业与科技各个方面有着广泛的应用。且WO3的形貌和结构与应用功能有着直接的关系，目前，人们已经可以用多种方法制备不同孔径的多孔氧化物，其中包括大孔、介孔和微孔的。但是泡沫结构的多孔材料由于易碎所以对其的研究和应用较少。
经过专家试验，以制备出具有支撑力的三氧化钨多维网结构。制备三氧化钨多维网结构的典型合成方法如下：
（1）将1g金属钨粉溶解在15ml30%H2O2和15ml甲醇的混合液中形成透明溶液，在此过程中要不断的搅拌。
（2）将0.12g聚乙烯呲咯烷酮加入上个步骤中的透明溶液形成略微粘稠的透明溶液。
（3）将溶液在333K下浓缩，当溶液被浓缩到5ml的时候，泡沫状结构变开始形成。
（4）将形成的泡沫在773K下煅烧6小时，升温速度控制在1K/min。
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抗下垂钨丝的活化重结晶（1）
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月02日
- 点击数：1720
在低温条件下，将某些金属（如钯，镍，铁等其他金属）附在焊丝表面，将发生重结晶。这是一个重要的过程，因为它可能会严重恶化的抗下垂钨丝的机械性能，被诱导时电线作为在金属基复合材料的增强材料。
透射电子显微镜观察表明，大约为0.18mm掺杂钨丝的再结晶的初始阶段形成，通过位错的重排，新晶粒的相对取向差可以发挥在再结晶过程中的关键作用。钾的阻碍作用的气泡两者上错位重排和界迁移导致重绘制掺杂钨丝的异常再结晶行为。此外，人们发现，重结晶钨晶粒的非<110>取向可能起源无论是从谷物用非<110>取向在原料或来自新核粒。这些意见可以解释钨丝其目前的理论无法解释的再结晶特征。
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三氧化钨的晶体结构
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年6月02日
- 点击数：2090
严格满足化学计量比的三氧化钨的晶体结构应使畸变的钙钛矿结构，即在ABO3型式的钙钛矿结构中出现A阳离子的缺位。氧原子构成正八面体，一个钨原子位于这个正八面体的中央。所有单一晶相的三氧化钨都可以看成八面体结构只是在一定结构上发生了结构的扭曲。由于三氧化钨存在不同程度的氧缺位，其化学计量也因此变得比较复杂，所以三氧化钨的化学式通常写为WO3-X的型式。随着氧空位数量的增加，它们在WO3-X晶体内的分布也变得有序起来，型成所谓的切边面。X＜0.02时这些切变面是无规则分布的。X≥0.02后切变面则呈现相互平行排列的趋势，随着还原程度的不断增加，切边面排列的有序程度也不断增加。这些具有不同晶体结构和空位的化合物，使得三氧化钨具有了多种性能，其具有的光催化活性也不一样。
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