钛掺杂三氧化钨薄膜

有专家采用金属钨与钨钛合金靶材，通过脉冲直流反应磁控溅射的方法制备得到钛掺杂三氧化钨薄膜。实验结果如下：

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http://www.tungsten-powder.com/chinese/tungsten_oxide.html

Ti掺杂三氧化钨薄膜基底温度升至300℃开始由非晶态转变为立方晶系；350℃制备的Ti掺杂WO3薄膜200次循环后调制幅度仍为62%，未发生衰减。随着氧分压增加，薄膜由欠氧单斜晶系转变为立方晶系，透过率上升，沉积速率降低，薄膜致密性增加；氧分压对薄膜调制幅度影响较小；但是循环稳定性随着氧分压增加，先增大后减小；同时，随着氧分压增加，薄膜着色、褪色响应时间变短，薄膜变色速率增加。

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