鉬硫族化合物薄層堆叠助力電子設備散熱

近期，東京都立大學的研究人員發現將鉬硫族化合物原子薄層堆叠成範德瓦爾斯异質結構，能有效控制熱量的傳輸，因而適合應用于電子設備中有助于相應産品散熱。值得注意的是，這裏的鉬硫族化合物是指二硫化鉬（MoS2）和二硒化鉬（MoSe2）。

我們都知道，熱量無處不在，而且它時時刻刻在流動著，比如人體熱量、電磁爐熱量等。人體熱量能供身體維持生命、生長發育和運動；電磁爐熱量可以讓我們將飯菜煮熟。然而，幷不是所有的熱量都是有利的，如電子産品若過熱，就很容易發生故障或者爆炸的情况。電子設備過熱的主要原因是微芯片在執行密集的計算任務時所産生的熱量遠超過它們能够帶走的熱量，進而導致産品使用壽命嚴重縮短。

爲了解决熱電設備的過熱問題，東京都立大學研究者一直在考慮用不同的方式來控制這種熱量，最後發現用獨特、溫和的方式堆叠起來的MoS2和MoSe2層堆能够較好地控制熱量傳輸。因爲二硫化鉬和二硒化鉬在堆叠時會産生异質結構，而且層與層之間存有弱耦合和不匹配的情况。

另外，斯坦福大學電氣工程研究者還表明將一層單原子石墨烯和其他二維材料（二硫化鉬，二硒化鉬和二硒化鎢）相結合的層堆能很好地吸收熱量，這樣也能有效防止電子産品因熱量過多的原因而發生故障或爆炸的問題。

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