斯坦福大學制出超薄二硫化鉬晶體管

斯坦福大學研究者發明的製造技術能生産出長度小于100納米的超薄二硫化鉬（MoS2）晶體管，爲高性能柔性電子産品如醫療監視器、健身跟踪器、智能服裝及可折叠智能手機的大面積普及提供更大可能。

相對于傳統的矽材料和有機材料來說，二維（2D）半導體材料更適合用于柔性超薄電子器件的製造，這主要是因爲2D半導體材料在納米尺度上仍可展現出優异的電氣和機械性能。但是，目前柔性電路需要克服的是柔性材料在製造過程中會發生熔化和分解的問題。

爲了解决上述的問題，斯坦福大學研究者開發了一種新技術，從不靈活的基本基材開始分步進行。首先器件建立在一塊塗有玻璃的固體矽板上，然後製備一層由二硫化鉬二維半導體構成的薄膜，幷鋪在納米圖案的金電極上，最後獲得了一個以前用柔性塑料基板無法達到的分辨率。注意：金電極中的金屬觸點有助于擴散晶體管在工作過程中産生的熱量。

據中鎢在綫瞭解，研究者是通過化學氣相沉積法讓MoS2薄膜一層一層地生長，最後得到有三個原子厚的薄膜。這個過程需要在大于1500℃的環境下才能完成。

另外，使用剛性矽作爲襯底也是此次高性能晶體管成功的關鍵因素。矽對部件的圖案化和成型至關重要。在完成器件的圖形化和成型後，將其浸入去離子水中使整個器件堆棧向後剝離；然後將其完全轉移到由聚醯亞胺製成的柔性基板上，最後經一系列處理即可製造出柔性晶體管。總的來說，整個晶體管有5微米厚，包括柔性聚醯胺，大約比人的頭髮薄5倍。

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