化學氣相沉積法製備二硫化鎢

化學氣相沉積法製備二硫化鎢，工藝流程相對複雜，但卻可以合成高品質、大面積的二硫化鎢單層材料，是一種重要的二硫化鎢製備方法。

化學氣相沉積法，指利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。該方法已經廣泛應用於提純物質、研製新晶體、澱積各種無機薄膜材料，而且這些材料的物理功能可以通過氣相摻雜的澱積過程精確控制。

目前，主要有兩種化學氣相沉積製備二硫化鎢的方法：

1. 兩步法：C.M.Orofeo等人首先使用磁控濺射方法，在氧化鎂（MgO）表面濺射金屬鎢或鉬的薄膜，之後再在硫或硒氣氛下燒結，最終製備TMDs（過渡金屬硫屬化合物）材料。二硫化鎢可以採用這一方法進行製備；
2. 一步法：低溫加熱硫粉，同時用較高溫度加熱氧化鎢（WO₃）粉末，共同沉積在一個附近的襯底上。該方法可以生長較大面積的二硫化鎢材料。過程中，一般選用氬氣、氫氣混合氣體作為保護氣；襯底一般選用二氧化矽/矽（SiO2/Si）或藍寶石。

化學氣相沉積法製備二硫化鎢，工藝流程相對複雜，但是制得產品通常具備高品質、大面積的特點。基於這一製備方法，人們可以研究新的合成方法來生長大面積的完整的二硫化鎢層狀材料，從而開闢相關領域新的應用，比如晶元大小的電子器件、柔性透明的光電子材料等。

• < 前一頁
• 下一個 >