電子薄膜用高純鎢及鎢合金濺射靶材

高純鎢及鎢合金濺射靶材由於具有高的電阻係數、良好的熱穩定性能和抗氧化性能，已被成功地應用於電子薄膜佈線的擴散阻擋層。

並且由高純鎢及鎢合金濺射靶材製備的各種薄膜如WOx-TOx、W-Ti-O和W-Ti-N等也在半導體行業和太陽能行業濺射鍍膜方面得到了廣泛的研究和應用。目前65納米級、45納米以下級的線寬代表了最先進的半導體晶片制程同時也是最為主流且將會成為主要半導體晶片製造業的佈線技術，這些級別的佈線均採用的是超高純銅材料，超高純銅材質的晶片佈線已經佔據了市場主導地位，而與銅佈線配套使用的阻擋層材料高純鎢及鎢合金濺射靶材的消耗量逐漸增加，因此高純鎢及鎢合金濺射靶材成為靶材製備研究的熱點之一，也越來越成為積體電路行業關注的焦點。但國內電子薄膜用高純鎢及鎢合金濺射靶材的生產仍處於初級階段，還沒有相應的國家標準，很大程度上制約了國內電子薄膜用高純鎢及鎢合金濺射靶材的研發、製作及工業化生產。因此，需要制定相關的標準，以促進現有產品品質的提高，確保電子薄膜用高純鎢及鎢合金濺射靶材的檢測規範統一符合統一標準。

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