低溫水熱法製備氧化鎢納米線

氧化鎢是一種典型的過渡金屬氧化物，禁帶寬度2.4-2.8eV，屬於典型的n型半導體。鎢基氧化物除作為催化、電致變色、蓄電池電極、太陽能吸收材料和隱形材料之外，還具有了壓敏、熱敏、氣敏等半導體功能材料的性質。

與傳統的氧化鎢材料相比，氧化鎢納米線的比表面積更大，而且在氣敏傳感、電致和光致發光、電導電極及光催化等各個方面均具有很好的應用前景，特別是在氧化物半導體氣敏感測器應用領域，氧化鎢納米線除了具有大的比表面積外，還具有更大的表面活性和更強的吸附能力。

傳統製備氧化鎢納米線的製備工藝複雜、能耗大，而且這些方法的實驗條件要求苛刻，有的水熱溫度高達200℃，水熱時間也長達24h甚至更長。在傳統水熱法中，用到的反應容器都是聚四氟乙烯內襯的高壓反應釜。這種設備能耗非常高。

為了解決上述問題，有學者研究出一種低溫製備氧化鎢納米線的工藝，、其製備步驟如下：

配製0.01mol/L的Na₂WO₄·2H₂O水溶液50mL，表面活性劑選用(NH₄)₂SO₄，在溶液中的添加量為0.66g；在磁力攪拌的條件下以0.1ml/s的速度把濃鹽酸逐滴加入到Na₂WO₄·2H₂O溶液中，待溶液pH值調到5，停止滴加；把得到的混合溶液轉移到密封的玻璃瓶中，乾燥箱溫度穩定在95℃時，將玻璃瓶放置在恒溫乾燥箱中，反應3h；將反應之後得到的沉澱物用水和乙醇各洗滌兩遍後，放入烘箱中在60℃下乾燥1h，所得到的氧化鎢為納米線結構，其直徑約為10nm，長度為200-300nm。

與現有的氧化鎢納米線材料的製備方法相比，低溫水熱法的工藝簡單，操作簡易，採用超低的反應溫度，而且能夠大大縮短反應週期，對設備的要求簡單，採用普通玻璃容器即可，相比于傳統方法採用的聚四氟乙烯內襯的高壓反應釜，能耗較低且成本更低。

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