新型納米氧化鎢有吸收近紅外光性能

納米氧化鎢是一種具有諸多特性的多功能半導體功能材料。截止至今,人們對新型納米氧化鎢子的電學性能、光催化,氣敏特性等有較多研究,但對納米氧化鎢及其複合半導體納米粒子相關內容偏少。

氧化鎢半導體的禁帶寬度為2.6~2.8eV,因此具有比較短的截止波長。經過大量的實驗測試,半導體材料的表面等離子共振能對特定波長的光產生吸收。對氧化鎢納米粒子進行一定的還原處理或增加第三相陽離子,能夠在其表面積聚大量的自由電子,從而使其具有等離子共振吸收近紅外光的特性。由於氧化鎢在缺氧條件下能生成穩定的亞氧化鈦相,以及在引入陽離子時能形成穩定的立方與六方鎢青銅礦結構。因此,當通過還原處理後能引入大量自由電子時,氧化鎢及其複合物仍然具有穩定的結構和物化性能,並在長時間陽光照射下能保持吸收性能的穩定,所以新型納米氧化鎢有吸收近紅外光性能。

 

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