高的氧分壓能夠抑制氧化鎢陶瓷的氧空位的形成，從而影響其傳質速率。然而，在氧氣氣氛中燒結的氧化鎢陶瓷擁有相對較高的緻密度。氧離子的半徑為0.14nm，比六價鎢離子的半徑要大很多。

為了在室溫下，穩定、高效地檢測二氧化氮氣體。採用有機物來活化氧化鎢是一種較好的選擇，例如將聚吡咯與氧化鎢進行複合。聚吡咯-氧化鎢複合材料，根據聚吡咯摻入量的不同，可以表現出從半導體到金屬導體的特性。

用無機物對氧化鎢進行活化，可以降低感測器工作溫度，提高其對各類氣體的回應特性。這是由於氧化鎢和多孔矽碳納米管複合相互結合時會出現異質結。這樣的異質結構能有效提高回應特性，而多孔矽、碳納米管能提供更多的氣體吸附位點，進而提高回應特性。

勢壘模型是金屬和半導體相接觸時在半導體內形成的勢壘。針對金屬和半導體，具有不同的功函數。最初認為勢壘模型起因於金屬和半導體具有不同的功函數，它們相接觸時產生的接觸電勢差。近年來的實驗表明，半導體表面態對勢壘的形成有極重要的影響。