光触媒としての非金属ドープ黄色酸化タングステンの光触媒性能は純wo 3と比較して改善された。これはo 2 p軌道に比べて，c，n，f，sのような非金属イオンが比較的高いエネルギーを持つ軌道を持つためである。半導体酸化物（WO 3など）中のいくつかのO原子を上記原子と置換することによって、半導体の価電子帯の位置を増加させ、半導体バンドギャップ幅を減少させ、その吸収端赤シフトを行うことができる。

순수한 WO3에 비해 비금속에 섞인 황색산화텅스텐은 광촉매제로서 광촉매 성능이 향상되었다.O2p 궤도에 비해 C, N, F, S 등 비금속 이온의 궤도 에너지가 상대적으로 높기 때문이다.상기 원자로 반도체 산화물(예를 들어 WO3) 중의 일부 O원자를 교체하면 반도체의 가격대 위치를 증가시키고 반도체 밴드 갭의 폭을 줄이며 흡수변홍이동을 할 수 있다.

황색산화텅스텐도 삼산화텅스텐(WO3)이라고도 한다.삼산화텅스텐은 광범위하게 연구된 전기 변색 재료로 전통적인 에너지 절약 유리를 대체할 가능성이 있다.WO3박막은 현재 연구에서 가장 이상적인 무기전기 변색 박막이다.일부 전문가들은 용접-응고 법제로 WO3 전기 변색 필름을 준비하고 열처리 온도가 얻은 WO3 필름의 변색 특성과 구조에 대한 영향을 연구했다.

酸化タングステン（WO 3）ともいう。三酸化タングステンは、広く調査されて、従来の省エネルギー眼鏡に代わることになっているエレクトロクロミック材料です。wo 3薄膜は研究されている最も好ましい無機エレクトロクロミック膜である。いくつかの専門家はゾル‐ゲル法によってwo 3エレクトロクロミック膜を作製し，得られたwo 3膜の変色特性と構造に及ぼす熱処理温度の影響を研究した。