具有与二硫化钼层状结构相似的二硫化钨超细颗粒（WS2），其其实也很适合用作锂离子存储的层状过渡金属硫化物。由于WS2层状结构较为特殊的原因，这也使得锂离子很容易嵌入和脱嵌它的表面。不过，根据制造方法的不同，二硫化钨的形貌和尺寸也有所区别。据悉，当超薄的二硫化钨纳米片组装成花状结构时，更加有利于增大其比表面积，从而能大大提高储能材料的电化学性能。下面，我们一起来了解一下花状二硫化钨纳米材料的制备。

二硫化钨，英文为Tungsten disulfide，分子式为WS2，是金属钨原子和非金属硫原子共同的化合物，外观颜色呈灰色，并带有金属光泽，属于六方晶系，根据制备方法的不同，其形貌也多种多样，如花状、片状、棒状、球状、线状等。那在实际应用过程中，二硫化钨常喷涂在金属表面的作用是什么呢？

钨合金材料是一种以金属钨为主要原料以镍、铜、铁为辅助原料的合金。相对于纯钨金属来说，钨合金虽然纯度更低，但是加工性能更好，且具有较高的密度，较强的抗射线能力，是新一代屏蔽件的优选材料。就伽马射线准直器来说，其适合用钨合金来生产，这样除了能很好地抵挡伽马射线击穿部件外，还可以尽可能确保粒子沿着特定的形状运动，减小辐射野形状的误差。

准直器在制造时之所以选用钨合金作为主要原料，是因为该合金具有较强的射线屏蔽能力，是铅的1.7倍多的，且无毒，易加工。

钨铜合金性能提高是现代生产企业都很关注的问题，合金是由钨和铜两相单体均匀混合而成的组织，既不互溶又不形成金属间化合物，是一种典型的假合金，现代生产需要得到性能更高，致密度更大的钨铜复合材料，就要克服钨和铜的互不溶性，结合钨铜复合材料产品的特性对其进行致密性压力加工，提高致密性和综合性能，满足现代生产的要求。

目前，钨铜合金的制备方法分为传统方法和现代方法两大类。钨和铜组成的合金，常用合金的含铜量为10%～50%，具有很好的导电导热性，较好的高温强度和一定的塑性。

作为一种重要的过渡金属氧化物，低维度氧化钨纳米材料因有独特的电致变色、光致变色和热致变色等特性，而引起了人们广泛的兴趣，目前已经被用来制备大面积的平板显示器。

就新型的军用伪装而言，其之所以要在生产时掺杂适量的低维度的氧化钨电致变色薄膜的主要原因是，该薄膜不仅具有较好的电磁波吸收性能，还有极为优异的光电转换效应、电致变色等特点。换而言之，相对于普通的伪装而言，含有氧化钨材料的军用设备拥有更好的耐老化性、更强的抗高温能力以及更高的变色速率等优点，更适合用来制造新一代的隐形材料。

据专业人员介绍，氧化钨靶材在氩氧比为4:1的气氛及20mtorr下能制备出具有高变色效率的氧化钨薄膜，薄膜的沉积速度为9.6nm/min。上述工作在薄膜磁控溅射过程中虽然用到少量的氧气，但是要使微量气体均匀分布在腔室中，需要镀膜设备额外增加一些新的部件来确保气体流入的均匀性，不过这样会增加投资成本。因此，为了克服这个问题，本文将介绍氧化钨薄膜的新制备方法。

氧化钨作为一种价格低廉、无毒环保的过渡金属氧化物，在光致变色、气致变色、电致变色、储能等领域得到了广泛研究。相比普通的变色薄膜来说，氧化钨薄膜具有更高的对比度、更高变色效率、更快响应速度、更好的循环稳定性、更低的电压驱动等优点，因而更适合应用于建筑节能玻璃、汽车防眩后视镜、护目镜、波音飞机舷窗等领域中。下面，我们一起来了解一下如何用磁控溅射法制备氧化钨薄膜。