日印企业拟合作开发稀土
- 分类:稀土知识新闻价格
- 发布于 2014年8月28日
综合日本媒体报道,丰田通商等日企已与印度企业基本达成共识,将携手开发印度的稀土,并于2015年向日本出口。预计日本首相安倍晋三与印度总理莫迪9月1日在东京会谈时将表明支持合作开发。据悉,年出口规模将达到一千吨以上。
日印两国企业从几年前就开始围绕稀土出口事宜展开谈判,如今在价格方面终于谈妥。此次日印企业携手开发稀土或将丰富日企的采购来源,有望实现稳定供应。
日本首相安倍晋三和印度总理莫迪近日将在东京峰会上达成共同生产计划。据悉,印方公司将从铀矿和钍矿中生产混合稀土材料,丰田通商使用稀土材料生产电动和混合动力汽车所需的钕、镧、铈和镨等稀土材料。
印度希望在总理莫迪访日期间获得日本对一项核能协议的支持,并为其庞大的市场吸引投资。
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钨铁市场成交困难,冶炼厂家压力较大
- 分类:钨业新闻
- 发布于 2014年8月28日
钨铁市场成交困难,冶炼厂家压力较大,一方面来源于国家环保的深入,另一方面下游需求持续低迷。目前冶炼厂家开工率仍低,继续维持生产的厂家也仅保持小量生产。据了解,郸城财鑫减产运行,当前日产能仅5吨。
钨铁厂家多在环保整顿、尽量降低成本,对原料采购愈发谨慎。目前厂家多以老客户为主,成交清淡,且成交价格略有阴跌,整体而言比上周8月中旬成交价下挫了500-1000元/吨、幅度很小。据了解,70钨铁现款成交价徘徊在17.2-17.3万元/吨附近。
欧洲钨市仍有下跌,国内废钨行情维稳
- 分类:钨业新闻
- 发布于 2014年8月28日
海外钨市稳中仍有下跌。27日晚间MB钨铁鹿特丹报价39.7-40.7美元/千克钨,稳;仲钨酸铵欧洲报价350-360美元/吨度,整体下跌10美元;香港报价仍维持在358-370美元/吨度。虽欧洲夏休已经结束,但海外下游需求迟迟不见释放,市场交易氛围依旧冷清,导致价格屡屡下探,预计短期海外钨市行情仍将难有好转。
废钨钢行情坚挺维稳。目前废钨钻头不含税成交价主流集中在189-190元/kg,国产废钨刀片168.5-170元/kg,进口废钨刀片及废拉丝模具仍集中在178-180元/kg之间。近期废钨钢成交量有所减少,但商家心态仍较坚挺,调价意愿不强,短期多将继续走稳。磨削料W含量30-40度的采购价集中在1.45-1.5元/度,50-70度集中在1.55-1.65元/度,70度以上集中在1.65-1.71元/度。时值月底,钨精矿行情止跌,废钨料商家心态略受支撑。目前矿商多观望下月钨精矿机构指导价的出台,预计短期行情暂无波动。
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制备氧化钨薄膜-真空蒸镀镀膜法
- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年8月28日
氧化钨,英文名称: Tungsten Oxide;Tungsten Trioxide 是一种外观呈黄色的斜方晶体,在加热时颜色会变深,不溶于水合酸,能缓慢地溶于溶碱溶液。同时,氧化钨具有气体敏感性,可用于二氧化氮,氨气等有毒气体的检测,当氧化钨被制成氧化钨薄膜的时候,能大大的提高对于低浓度有毒气体的检测。氧化钨薄膜的制备方法很多,以下介绍真空蒸镀镀膜法制备氧化钨薄膜。
真空蒸镀镀膜法是制备薄膜最一般的方法,是通过真空室抽真空至0.00001-0.0001Pa的压强下,采用各种形式的热能转换方式使镀膜材料蒸发,并成为具有一定能量的气态离子(原子、分子或原子团),蒸发的气态粒子基本上无碰撞的直线运动方式传输到基地,然后在基地上凝聚成薄膜,即为氧化钨薄膜。
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制备氧化钨薄膜-阳极氧化法
- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年8月28日
氧化钨是一种过渡金属氧化钨,在气体传感器、光触媒、电致变色器件等领域具有广阔的应用前景,由于氧化钨薄膜具有较高的透射率变化、可逆性好、相对价格低、寿命长和无毒等优点,它是最早被采用的电致变色材料,同时也是应用最广的电致变色材料,可以应用于建筑物和汽车的玻璃上,制造节约能源、调节光线和控制热负荷的智能窗。
氧化钨薄膜可通过阳极氧化法制备而成。阳极氧化法是以纯金属钨作为阳极,在适当的电解质中进行电化学氧化制备氧化钨薄膜,将纯钨片在室温下放入15%的NaOH溶液中抛光后,经去离子水冲洗干净后,在氮气气氛中干燥。以Pt电极作为参比电极,W电极作为牺牲电极,在2mol/L的硫酸溶液中电解,在阳极可得到氧化钨薄膜。
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三氧化钨陶瓷烧结机理分析
- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年8月28日
烧结可以分成三个阶段:
1:烧结初期。胚体中相互接触的粉末颗粒之间通过传质过程形成一定程度的界面,即烧结颈,并通过其生长使胚体产生收缩;
2:烧结中期。始于晶粒生长开始之时,并伴随颗粒间晶面的广泛形成。此时,气孔仍相互连通成连续网络,而颗粒间的晶界面仍相互孤立。大部分致密化过程和部分显微结构产生于这一阶段;
3:烧结后期。随着烧结过程中气孔变成孤立,孤立气孔扩散到晶界上消除,晶界开始形成连续网络。烧结后期致密化速率明显减慢,而显微结构的发展如晶粒生长则比较迅速。
对于我们所制备的三氧化钨陶瓷,在烧结到1180℃时,其相对密度可达到94%左右。这意味着固相烧结的初期和中期均在我们设计的烧结工艺的前一个阶段进行的,烧结后期一般始于烧结体的相对密度大于90%,在此阶段,主要是少量孤立气孔的排除和晶粒的生长。气孔受到曲率半径的应力作用,不断收缩,随封闭气孔内气体压力的增加而达到平衡。部分远离晶界的封闭气孔,则只能通过晶体内部的体积扩散来填充,此过程进行缓慢,使致密化的进一步进行受到制约。烧结后期,气孔变成孤立而晶界相互连通形成网络,所以这是气孔的排出仅能通过晶界或体积扩散来实现,晶粒则通过晶界移动生长。
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影响三氧化钨陶瓷致密化因素-气孔率
- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年8月28日
为了分析气孔率对三氧化钨陶瓷致密化的影响,以压制压力4MPa,保温时间为2h的烧结样品为例进行分析。
测试结果如下表:
|
烧结温度 (℃) |
试样体积 (cm³) |
试样干重 (g) |
被水饱和的试样重量(g) |
显气孔体积 (cm³) |
气孔率 (%) |
| 1100 | 0.639 | 4.294 | 4.2652 | ||
| 1180 | 0.4745 | 3.1826 | 3.1725 | ||
| 1200 | 0.2708 | 1.8284 | 1.8295 | 0.0011 | 0.41 |
| 1210 | 0.2305 | 1.5228 | 1.531 | 0.0082 | 3.56 |
| 国外样品 | 0.182 | 1.1454 | 1.1528 | 0.0074 | 4.1 |
由以上表格数据中的气孔率可以看出,烧结温度为1100℃和1180℃的烧结样品疏松,在沸水中煮2h,三氧化钨粉末从块状体上脱落下来。而1200℃的烧结样品气孔率比国外样品要低,气孔率小则说明此温度下的烧结样品致密,晶粒与晶粒结合的好。
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影响三氧化钨陶瓷致密化因素-成型压力
- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年8月28日
检测成型压力是否影响三氧化钨陶瓷致密化,以压制压力4MPa,烧结温度为1200℃,保温时间为2h的烧结样品为例进行分析。
测试结果如下表:
| 压强(MPa) | 密度(g/cm³) | 收缩率(%) |
| 3 | 6.67 | 9.87 |
| 4 | 6.73 | 11.2 |
| 5 | 6.75 | 11.2 |
| 10 | 6.80 | 10.5 |
由以上表格中的数据可以看出,随着压力的增加,烧结后的致密化亦随之增加。一般来说,成型压力越大,坯体中颗粒接触的越紧密,烧结时扩散阻力越小,但过高的成型压力可能使粉料发生脆性断裂,给烧结带来其他不利的影响。可见,应将压力控制在4MPa与5MPa之间效果较好,使得晶粒间结合紧密,从而获得优质三氧化钨陶瓷。
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检测保温时间是否影响三氧化钨陶瓷致密度
- 分类:钨业知识
- 发布于 2014年8月28日
为检测保温时间是否影响三氧化钨陶瓷致密度,以压制压力4MPa,烧结温度为1200℃,保温时间为1h的烧结样品为例进行分析。
测试结果如下表:
| 保温时间(h) | 密度(g/cm³) | 收缩率(%) |
| 1 | 6.8 | 10.5 |
| 2 | 6.8 | 11.8 |
| 3 | 6.9 | 12.5 |
| 4 | 6.9 | 12.5 |
由以上表格中的数据得知,各种样品的致密化效果好,单纯从数据上看得出保温时间越长,密度收缩率越好。但进一步观察到的效果是保温时间越长,烧结的质量并没有提高,其他的保温时间段没有保温时间为1h的好。由此可见,单纯采用延长烧结时间来改善材料性质是不现实的,时间并不是致密化过程中最主要和最关键性的变量。
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烧结温度对三氧化钨陶瓷致密度影响
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- 发布于 2014年8月28日
检测烧结温度对三氧化钨陶瓷致密度影响,以压制压力4MPa,保温时间为1h的烧结样品为例进行分析。
测试结果如下表:
| 烧结温度(℃) | 密度(g/cm³) | 收缩率(%) |
| 1100 | 5.540 | 4.60 |
| 1180 | 6.720 | 8.60 |
| 1200 | 6.823 | 3.12 |
| 1210 | 6.825 | 13.08 |
| 1230 | 6.714 | 11.20 |
| 1240 | 熔化 | 熔化 |
由以上表格中的数据,我们可以容易的看出,随着温度的上升,样品的密度、收缩率也会随着上升。但是当温度上升到一定高度时,相反密度是下降的,下降的幅度较小。而收缩率也相对较高,到达1240℃时样品被熔化,提高烧结温度无论是对固相扩散或溶解-沉淀等都是有利的,但,单纯提高温度不仅浪费能源,而且使材料性能恶化,过高的温度会使二次再结晶,降低材料的强度。可见,为烧结出优质的三氧化钨陶瓷,应将温度控制在1200-1210℃。
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