钨矿采购难度加大，成交或持续清淡
- 分类：钨业新闻
- 发布于 2015年12月18日
钨矿采购难度加大，成交或持续清淡；美联储加息影响不大，钼市较为稳健。
钨市场行情：11月中旬开始八大家联合限售挺价，加之钨矿山集中度高，致使近2个月钨矿采购难度不断加大，矿价大幅飙涨，料1月前矿价或仍有炒涨可能、但成交或持续清淡。
钼市场行情：宏观方面，美联储加息对大宗商品有一定影响，但总体而言对钼产业影响不大，钼市当前仍处在价格和产品供需方面受牵制。当前原料仍然偏紧，钼铁库存较少，价格稳定略显强势。下游钼化工、钼制品表现一般。短期钼市较为稳健。
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17种稀土元素名称的由来及用途浅说-铽
- 分类：稀土知识新闻价格
- 发布于 2015年12月18日
铽(Tb)
1843年瑞典的莫桑德（Karl G.Mosander）通过对钇土的研究，发现铽元素（Terbium）。铽的应用大多涉及高技术领域，是技术密集、知识密集型的尖端项目，又是具有显著经济效益的项目，有着诱人的发展前景。
主要应用领域有：
（1）荧光粉用于三基色荧光粉中的绿粉的激活剂，如铽激活的磷酸盐基质、铽激活的硅酸盐基质、铽激活的铈镁铝酸盐基质，在激发状态下均发出绿色光。
（2）磁光贮存材料，近年来铽系磁光材料已达到大量生产的规模，用Tb-Fe非晶态薄膜研制的磁光光盘，作计算机存储元件，存储能力提高10～15倍。
（3）磁光玻璃，含铽的法拉第旋光玻璃是制造在激光技术中广泛应用的旋转器、隔离器和环形器的关键材料。
特别是铽镝铁磁致伸缩合金（TerFenol）的开发研制，更是开辟了铽的新用途，Terfenol是70年代才发现的新型材料，该合金中有一半成份为铽和镝，有时加入钬，其余为铁，该合金由美国依阿华州阿姆斯实验室首先研制，当Terfenol置于一个磁场中时，其尺寸的变化比一般磁性材料变化大，这种变化可以使一些精密机械运动得以实现。铽镝铁开始主要用于声纳，目前已广泛应用于多种领域，从燃料喷射系统、液体阀门控制、微定位到机械致动器、太空望远镜的调节机构和飞机机翼调节器等领域。
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美联储加息或将导致金价下跌
- 分类：钨业新闻
- 发布于 2015年12月17日
北京时间2015年12月17日，美国央行联储终于作出近10年来第一次加息的决定，摆脱历史超低利率彻底标志着美国经济已走上稳增的正轨。
据相关分析，此次美联储加息将会给美国房地产，债券，股票，就业和收入带来不同程度的影响，或将可能解决房产市场不景气等问题，短期股市将更为动荡。对于中国而言，由于人民币加入SDR及资本账户开放有限，或将延续窄幅波动小浮走弱态势。中长期将双向波动，将加剧人民币贬值压力。从整体经济看，目前美国的复苏伴随着纠正贸易失衡，中国可从其复苏中获得的好处正逐渐减弱。美元推动人民币实际有效汇率大幅上升，不利于出口，可能会产生负面影响。
由此看来，美元可能经历短暂冲顶，随后将面临阶段性贬值，长期有望回归强势。以美元标价的大宗商品价格持续走低，对原油价格可能压制。尤其，对于金价的影响不容忽视，金价下跌可能性将加大，内外进出口比价上升，利于买国内抛国外的反向套利。而黄金作为没有利息的资产将会相对美元和国债失去原有吸引力。由此，黄金及其饰品将大大受到冲击，而钨钢为代表的镀金饰品等将受到广泛关注。
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钨市场分析
- 分类：钨业新闻
- 发布于 2015年12月17日
钨系列产品的价格在11月份经历了下跌后，在11月底至12月终于有所上涨，且涨动幅度较为可观。钨系列产品价格上涨主要是因为钨价跌破生产成本底线，导致大部分矿山和工厂停止生产。所以现货市场能源紧缺，加之小部分钨系企业联合抬价导致价格上涨。同时，由于矿山方面相继停产，钨精矿价格上涨，导致APT、钨铁等厂家难以购买到原料，导致钨系列产品整体上涨。另一方面是，国家国储局有收购的计划，这在很大一方面起到了提振钨价的作用。
据报道，12月初赣州钨协指导价再次启动。暂停了两个月的赣州钨协指导价相比市场钨价出现小幅下跌，但是由于上述原因，钨系列产品价格仍然较为坚挺，市场价持续上涨。以下是赣州市钨业协会12月份钨系列产品市场预测价格：黑钨精矿: 6.2万元/标吨; APT: 10.0万元/吨；中颗粒粉末：160元/公斤。
钨系列产品市场展望：目前钨产品整个市场看涨，告别了持续下滑的走势，整个行业信心有所增强。但是由于中国钢铁产量饱和和后减产时代的来临，目前钢铁市场仍然处于低迷状态。钢铁市场的低迷对已钨棒、钨条等相关钨产品会产生相当大的影响。同时，由于目前钨产品商场成交目前仍未放行，后市涨势幅度有限。钨市场价格虽然回暖，但是由于中国整体市场相对混乱，年末观望气氛浓厚，钨的成交量相对稀少。
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掺杂氧化钨薄膜光学性能2/2
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月17日
采用磁控溅射的方式掺杂Ni所得到的WOx-Ni薄膜也为非晶体，Ni都是以NiO氧化物的形式存在。在磁控反应溅射工艺下，Ni的掺杂能显著提高氧化钨薄膜的电致变色性能。同时掺杂Ni可以大幅度降低氧化钨薄膜缺陷，提高循环的稳定性，经过高达600次着的褪色循环之后，氧化钨薄膜着色态的透过率高达70％，光学动态调节能力降低为10％，已经基本失去电致变色的能力，而通过均匀方式掺杂了4％Ni的WOx-Ni薄膜着色态的透过率变为45％，光学动态的调节能力变为35％，是纯氧化钨薄膜的3倍多。最好的掺杂Ni方式是采用均匀掺杂的方式，掺量为4~7．7％，这样才能有效地提高WOx-Ni薄膜电致变色的性能。
采用磁控溅射的方式掺杂V得到WOx-V薄膜能改善氧化钨薄膜的电致变色性能，而且能提高氧化钨薄膜记忆存储的能力，均匀掺杂6％的V再放置24小时后氧化钨薄膜的着色态透过率从原始的25．5％下降为38．5％，并且氧化钨薄膜的透过率下降了50％达到75％。
从一般情况来说，掺杂不同的物质，会使对着色态氧化钨薄膜的透过率造成很大的影响，通过实验数据得出：，掺杂Ti、N、V这三种元素时，只有Ti会出现降低薄膜光学性能的状况，而掺杂N、V这两种元素时能从不同程度上提高薄膜的光学性能，单从提高光学性能来说V的效果是最为显著。但不论使用哪种掺杂物来提高氧化钨薄膜的性能，都必须遵守一条规则：掺杂量并不是越多越好，而是存在一个最佳值。
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掺杂氧化钨薄膜光学性能1/2
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月17日
氧化钨是一种常见的电致变色材料，也最早被制成电致变色器件产品，如今已经被广泛应用于生活中的各种领域。本文主要介绍掺杂Ti、Ni、V这三种元素对氧化钨薄膜光学性能的影响。氧化钨薄膜采用溅射镀膜法制备而成的，在WOx、WO-Ti、WOx-Ni及WOx-V薄膜的沉积过程中，持续通入氧气与氩气混合气体，以金属钨为靶材，采用直流电源溅射制备，而其他三种元素的掺杂则是通过射频电源溅射各自的金属靶材来实现的。由于采用溅射镀膜法不同于传统的掺杂工艺，无法精确地计算出掺杂量，只能采用相对掺杂量来比较掺杂量对电致变色性能的影响。相对掺杂量就是通过将直流电源与射频电源的功率调整到相同的情况下，根据溅射时间的长短来确定相对掺杂量的多少。
采用的方式掺杂Ti得到的WO-Ti薄膜仍为非晶体，Ti大多数都是以Ti2+的形式存在。Ti的掺杂能提高氧化钨薄膜一倍以上的循环使用寿命以及缩短薄膜的褪色时间。磁控反应溅射工艺进行掺杂时，例如：溅射功率、氧含量等这些工艺参数对薄膜性能影响比较大。虽然采用前期掺杂的掺杂方式更能有效地增加薄膜的响应速率，但均匀掺杂更有利于循环使用寿命以及光学性能，如果以提高循环使用寿命为主，掺杂量应在4-8%，而要提高光学性能掺杂量应在14%左右。
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三氧化钨电致变色器件结构3/3
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月17日
3.离子导体层(IronConductingLayer)又称电解质。也类似于一个能来回传输的通道，能使离子来回传输于电致变色层和离子存贮层之间。器件电致变色的速度与离子的迁移速度是成正比的，所以电解质的离子导电能力能直接影响到电致变色的速率。作为离子导体层的材料必须具备以下几点条件：（1）必须是离子良好导体与电子的绝缘体，这样才能保证将离子以最快的速度在电致变色层和离子存贮层之间传输；（2）在室温下（或者说工作环境下）要有高的离子电导率和高的电子电阻率；（3）器件在透射模式下工作时，电解质必须是透明；（4）与电致变色层和离子存贮层材料兼容、无腐蚀性（5）对固体电解质而言，还要容易制成薄膜。电致变色过程之所以注入的离子是为了补偿注入的电子，满足电中性以达到电流连续性效果。理论上满足上述条件的离子品种可选范围很广，但实际产品中被应用的只有H+、Li+、OH-及F-这四种离子，其主要原因为大多数离子在电致变色层中难以迁移。在三氧化钨薄膜中具有较高的迁移率的离子为Li+，具有抗氧化、记忆效应好以及变色效应受温度影响小的特点。因此，Li离子电解质受到人们极大的关注，尤其是Li离子固态电解质。
4.离子存贮层(Ion-storage layer)又称为对电极层。主要作用为存贮与提供电致变色过程中所需要的离子，使器件电致变色过程中保持电中性，当电致变色层被注入离子时，它提供离子到离子导体层；当电致变色层被抽出离子时，它将离子存贮起来；始终保持离子导体层的电中性。对离子存贮层要求为：（1）具有较高的存储及释放离子能力；（2）具有混合传导而不只是离子传导；（3）应具有和电致变色层一样可逆的氧化还原能力，为了防止反电极时对电致变色器件光学性质与循环寿命造成影响；（4），在电致变色过程中，应为透明或与电致变色层同步发生致色或保持弱致色。
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三氧化钨电致变色器件结构2/3
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月17日
1.透明导电层(TransparentConductingLayer)。从图中就可以看出透明导电层有两层，并且分别与电场的正负相连，这层的主要作用就相当于一根导线将电场与器件相连，起着传导电子进出电致变色层的作用。整个电致变色器件的颜色变换速度大部分都是由透明层的电导特性决定，特别是在大面积的电致变色玻璃上，透明导电层的电阻值对器件反应速率影响更大，为了不影响玻璃的变色速率，一般会要求其电阻要小于20Ω/cm2（厚度为0.6-1um）。而且该层不能影响到电致变色器件对光谱的选择，在350~200nm内是透明的，当器件进行颜色转换时该层的透明度至少要达到85%，同时要有稳定的电极化学性。
目前用的比较多的透明电导材料为ITO膜，ITO膜不但具有接近90%的可见光透过率与很高的红外光反射率，而且具有电阻值、耐磨与稳定的化学特性，在许多领域中已经被广泛应用，如液晶显示器、防静电、反辐射、太阳能面板等。
2.电致变色层(ElectrochromicLayer)。电致变色层是整个电致变色器件最核心的地方，担负着变色的任务。在电场的作用下电子和小离子往电致变色层移动，注入到电致变色层中，电致变色层中的三氧化钨薄膜分别于对应的电子与离子发生化学或者物理反应（由三氧化钨的电致变色机理存在争议），使得三氧化钨薄膜颜色产生变化。当电场反转时，电子与离子与三氧化钨薄膜发生逆向化学或者物理变化，而且在电场的作用下被抽出，三氧化钨薄膜被漂洗干净，变为透明。
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三氧化钨电致变色器件结构1/3
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月17日
电致变色材料，即通过给材料添加电场，使材料发生颜色的变化。电致变色机理较为复杂，三氧化钨（WO3）是最早被发现的电致变色材料，并且也是最早被制成电致变色器件，但其变色原理却一直成为争议。研究者们通过对其变色性能进行研究，建立了好几种模型来解释其变色机理，例如，色心模型、价间电荷迁移模型、极化模型、自由载流子模型等，但是这些模型谁也说服不谁，谁也无法全面地去解释三氧化钨的电致变色机理。
尽管三氧化钨的电致变色机理任然没有一种较为全面、能让所有研究者认可的说法或者模型来解释其机理，但是研究者早已经掌握了如何去应用三氧化钨的电致变色性能，而且已经有三氧化钨电致变色器件问世，并被应用于生活中的很多领域。
三氧化钨电致变色器件的结构。电致变色器件发展到现在出现过很多种不同的结构，虽然这些结构都能实现电致变色功能，但就目前而言能被研究者普遍接受，同时也是最典型的器件结构为三明治型的五层结构。如图为三明治型的五层结构的三氧化钨电致变色器件，上下两层为覆盖层，即普通透明玻璃，中间五层从上往下依次为透明导电层-电致变色层-离子导体层-离子存贮层-透明导电层。
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仲钨酸铵的除锡工艺
- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年12月17日
仲钨酸铵的各种除锡工艺主要都是着重于将钨酸钠溶液的锡酸根(SnO32-)中去除。这是由于当前我国所用钨精矿的特点决定的：矿石中杂质锡的赋存状态以SnO2为主，经碱分解所得的钨精矿碱浸液中锡主要以锡酸根形态存在：
SnO2+2OH-—SnO32-+H2O。
目前，在我国钨冶炼采用优质钨精矿的情况下，由于矿石中杂质锡的含量不高(0.1%～0.4%)，形态单一，以SnO2为主，因此，所得浸出液中杂质锡的含量不会太高，在钨冶炼工艺中采用以上各除锡工艺，都能生产出高质量的产品APT。当然，各除锡工艺也有一定的负面影响，主要是除锡率与钨损率无法很好的平衡，尽管有的工艺钨损较低，但同时除锡率也一样不高。此外，各工艺还存有工艺复杂等缺点，由于引入了除锡工艺，对钨冶炼工艺的生产周期、生产成本、工艺路线复杂程度等方面造成了较大的影响。
同时，值得指出的是，随着我国优质钨精矿的日益匮乏，可供开采的矿石资源中锡等杂质的含量越来越高、形态越来越复杂，钨精矿中锡的赋存状态有时不再以SnO2为主，而是以SnO2和硫化状态的锡(黝锡矿Cu2FeSnS4；硫化锡SnS2等)共存。碱浸时，由反应式：
3SnS2+6OH-一2SnS32-+Sn(OH)62-，
由此得出，硫代锡酸根离子(SnS32-)在钨酸钠溶液中锡酸根含量升高的同时会出现。在目前的生产中，引起产品APT杂质锡超标的主要是硫代锡酸根离子。因此，除锡工艺的发展方向应着重研究去除硫代锡酸根离子，同时要兼顾精短的钨冶炼工艺和保证钨的回收率。国内对此研究的甚少，国外对此也未见相关报道。有学者对此进行过系统的研究，研究了溶液中硫代锡酸根的存在比例与溶液pH值的关系、硫代锡酸根的去除方法等，但都只处于摸索阶段，还希望有更多的冶金工作者加人到此研究行列中来。
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