三氧化钨光电性质
- 分类：钨业知识
- 发布于 2016年3月04日
光催化是今年来发展的新领域，目前有许多的半导体材料被当做光催化剂，用于水分解。WO3中的钨离子由于存在氧缺位而出现部分的W6+还原成为W5+离子，氧缺位影响三氧化钨晶型和能级结构，从而影响了光催化性能。非化学计量WO3-X表现n型半导体行为，禁带宽度为2.4~2.8ev，这也使得它的光催化性能由于其他的半导体材料。
在波长大于330nm紫外光辐射下，Fe2+/Fe3+电解质体系中，WO3粉体催化光解水产氧气速率为1220umol/g/h。420nm可见光辐射下，产氧速率也达到了320umol/g/h。当WO3中的钨离子由于存在氧缺位而出现部分的W6+还原成为W5+离子时，发生了电致变色效应，材料的颜色相应地由浅黄色变为浅绿色。通过外部离子和电子对WO3材料的可逆注入，使得W6+离子和W5+离子相互转换，在这方面的应用有材料的着色和消色。
三氧化钨的分子式为WO3，分子量为231.85。WO3的分子式相当的简单，但是它的物理性质却十分复杂。满足化学计量比且无任何杂质的三氧化钨应该是无色透明的绝缘体，但是通常WO3中的氧的含量并不满足严格的化学计量比，因为在制备中难以控制氧含量，加之其他的复杂因素，所以WO3-X的型式来表示。1959年，Sawada和Danielson报道了WO3单晶上进行的电阻率测量的电阻率结果p=1.7×10-1Ω·cm。1983年Sahle 和Nygren报道了WO3-X（0≤y≤0.28）系列单晶的电导率测量。
随着对三氧化钨的电学性质的研究，我们可以发现，对于WO3-X单晶，其电学性能随其结构和含氧量的变化可以分别呈现金属或者半导体。铁电行为是WO3材料的一个极为重要的电学性质。WO3晶体是一种铁电材料，其铁电温度是Tc=-40℃。
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三氧化钨影响气敏性能
- 分类：钨业知识
- 发布于 2016年3月04日
三氧化钨在纳米三氧化钨经过水热法以及煅烧处理后得到，其特点是无数条高次对称轴，且二次对称轴和对称面均不多于一个。晶相三氧化钨具有很强的非均质性，它有3个主折射率。
以Na2WO4·2H2O为原料，DL-苹果酸为辅助剂，在这个前提下，可以合成包含三维球状形貌的前驱体（WO3·xH2O）。我们发现苹果酸的加入剂量对WO3·xH2O的形貌和结晶相产生了很大影响。由此可以见，气敏测试表明三个样品的最佳工作温度为250℃，并且方状晶相三氧化钨表现出最高的灵敏度，主要归因于其独特新颖的三维多孔构造。在300℃最佳工作温度下材料的最低检测浓度可以达到0.1ppm，材料最佳煅烧温度确定为500℃，其中WO3-样品对5ppm丙酮气体的灵敏度达到了7.9；在相对湿度95%条件下，对5ppm的丙酮电阻灵敏度仍有5.72。
在测试不同气体（例如丙酮、甲醇、乙醇、氨气等）的气敏度通过不同工作条件下，晶相三氧化钨对气体表现出了很高的选择性和灵敏度。以Na2WO4·2H2O为原料，分别采用Na2C2O4、Na2SO4和H2C2O4为辅助剂，在24小时180℃的水热条件下制取了六方相一维纳米WO3。结合实验结果，我们发现溶液中Na+、SO4-、C2O2-、HC2O4-离子以及H2C2O4对纳米WO3晶体在形核和长大过程中所起的作用，结果表明三种不同的辅助剂对产物的晶系无影响。随后的气敏测试表明，Na2C2O4辅助合成的WO3纳米棒在320℃对一定浓度的乙醇表现出最高的灵敏度，主要归因于其很高的分散度和结晶度。
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制备聚乙烯三氧化钨材料
- 分类：钨业知识
- 发布于 2016年3月04日
制备工艺
当确定制备样品后，在不同烧结温度下制备出多个组分配比的样品，接着用伏安曲线，阻抗谱和介电谱来测量不同组样品。根据伏安曲线测量数据计算出主要样品的非线性系数，可得微米三氧化钨聚乙烯非线性系数比纳米三氧化钨复合样品好。在复合样品中，三氧化钨颗粒含量高的样品非线性系数较高，并且250℃烧结的样品的非线性系数高于其他温度烧结的样品，最高可达98%。当有机物含量高于80%时，样品变成绝缘体，制备出来的聚乙烯三氧化钨材料更具有稳定性。
样品分析
本实验仿照常用压敏电阻的研究方法，计算了势垒，并且比较了势垒与非线性系数变化趋势，对典型的样品做了微观形貌和六相结构分析，并将非线性较好的与非线性不好的样品以及微米颗粒功能体的与纳米颗粒功能体的复合样品做了分析对比，结果表明势垒变化趋势与非线性系数一致。
微观形貌和电学性能的测试结果表明，聚乙烯三氧化钨材料样品的非线性与外加电场导致的高电阻晶相向低电阻晶相的转变有着密切关系。非线性较好的一组典型样品在加偏压与未加偏压下的两组阻抗谱表明了晶界电阻并没有发生明显的变化，而且三氧化钨高聚乙烯复合样品非线性系数比较高，电阻较低是因为其相结构以低电阻的单斜相为主。
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稀土行情清淡，询盘略有所增
- 分类：稀土知识新闻价格
- 发布于 2016年3月04日
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掺硅钨粉的制备工艺
- 分类：钨专利技术
- 发布于 2016年3月04日
在钨硅的提取冶金中，金属钨和硅粉生产的重要性是显而易见的，钨硅粉的性能在很大程度上影响钨制品的性能。钨硅粉的质量是对钨硅和钨硅合金优越性能的保证，钨硅粉工业面临极大的挑战，它必须满足市场对它愈来愈高的要求，对钨硅粉的生产不仅有化学纯度方面的要求，而且也有物理性能和工艺性能方面的要求，特别是为满足一些特殊用途的超细钨硅粉的制备技术还有待解决。
生产钨硅粉的工艺很多，采用氧化硅和三氧化钨为原料通过氢还原反应制备钨硅粉是其中一种；传统的氢还原工艺流程是将原料焙烧得到的三氧化钨和氧化硅，再经过两个阶段还原得到钨硅粉，使用传统工艺制备钨硅粉存在下述问题:
1、还原温度低，反应时间长，费时；
2、采用管状还原炉，设备复杂，不节能；
3、产品纯度低，较难连续化生产。
针对上述技术问题，本发明提供一种制备时间短、容易实现规模化生产的制备钨硅粉的工艺。
(1)将Na2WO4.5H20溶于蒸馏水中，加入正硅酸乙酯；
(2)再滴加盐酸溶液，磁力搅拌混合均匀；
(3)将混合溶液置于高压反应釜中加热反应；
(4)再冷却至室温后过滤，得到沉淀物；洗涤沉淀物，并烘干；
(5)将烘干的沉淀物放入马弗炉中灼烧，得到三氧化钨和氧化硅粉体；
(6)将三氧化钨和氧化硅粉体置于等离子反应室中，在该反应室内通过电离惰性气体形成高温等离子体，三氧化钨和氧化硅粉体被高温等离子体加热后在还原气氛下还原成钨硅粉。
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2015年9月中国稀土出口量统计表
- 分类：钨统计资料
- 发布于 2016年3月04日
单位：千美元
|
商品名称 |
计量单位 |
9月 |
1至9月累计 |
比去年同期±% |
累计比去年同期± |
||||
|
数量 |
金额 |
数量 |
金额 |
数量 |
金额 |
数量 |
金额 |
||
|
稀土 |
吨 |
3,033 |
29,762 |
23,400 |
275,096 |
55 |
-3.8 |
15.8 |
-6.1 |
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海西研究院厦门稀土材料研究所与台北科技大学稀土与稀有元素技术研发中心签署协议
- 分类：稀土知识新闻价格
- 发布于 2016年3月04日
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年初稀土市场“政能量”
- 分类：稀土知识新闻价格
- 发布于 2016年3月04日
过去一年，由于稀土市场长时间的萎靡使得从业者压力不断增加，为改变市场低迷现状企业频频出招，但收效甚微。2015年四季度六大稀土集团采取限产保价措施，此大招虽对市场起到了些许提振作用，然仍未能扭转乾坤。继此之后，大部分业者多寄希望于政策救市，让我们一起来细数2016年稀土市场有哪些重磅“政能量”。
在工业4.0大背景下随着高端制造、战略性新兴领域的快速发展，稀土消费量将会有所提升；另一方面，境外稀土深加工产业的复苏对我国稀土功能材料生产及消费形成挤压，综合考虑，初步预计下游稀土消费量将小幅增长，但增幅有限。
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摩羯座钨镀金金币
- 分类：钨业知识
- 发布于 2016年3月04日
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射手座钨镀金金币
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