聚会用钨镀金金币
- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年2月24日
- 点击数:929

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硬质合金球高精度研磨方法
- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年2月23日
- 点击数:1023
在一些石油钻探的相关领域中,硬质合金球以其高硬度、高密度、高强度的一直扮演着重要的角色,并逐步取代了钢球和陶瓷球。而传统的研磨工艺由于受到机械本身的限制以及一些无法排除的人为因素影响,无法保证硬质合金球的球坯一致性以及性能稳定性。因此相关人员对硬质合金高精度研磨方法展开了深入研究。主要的几种方法包括自转角主动控制法、双自转研磨法以及偏心V型槽研磨法。
首先自转角主动控制研磨法是由国外的一些相关学者率先提出的一个构想,其也被称为同轴三盘研磨法。该方法是在传统V型槽研磨工艺的基础上,将下研磨盘的V型槽部分分割开来,使得整个机构由三块可独立转动的研磨盘组成,然后通过控制三块研磨盘的转速变化来调整球坯的自转角,示意图如下:

在该机构中,自转角除了与研磨盘沟槽直径、V型槽道夹角等几何参数有关外,还与三块研磨盘的转速有关。通过对三块研磨盘转速的调整,可以实现自转角的变化(在-90°-90°范围内取值)。此外,球坯还能作自旋轴相对方位不断变化的研磨运动。研磨的轨迹线是以球坯自转轴为中轴的空间球面曲线。这样一来就能够均匀地覆盖整个球坯表面,有利于球坯表面获得均匀且高效的研磨。然而,虽然这种方法在实验中能够确保良好的加工精度以及加工效率,但是在实际的生产实践中的调试和维护存在一定困难,无法推广生产使用。
而双自转研磨法是由国内的相关研究学者首先提出的,它是基于自转角主动控制研磨法,在保持自转角主动控制功能的前提下,使上研磨盘在加工过程中周向固定,并对球坯施加一定的弹性载荷,使得加工余量较大的球坯受到较大的载荷,这也满足了研磨成球的尺寸选择性条件。此外,其采用两块独立旋转的研磨盘组件,简化了机械结构也降低了加工及装配难度(研磨过程中,上研磨盘在研磨过程中不需要旋转,使得与下研磨盘的同轴度要求较低)。但是该工艺方法也存在一定的问题,由于钨钴类硬质合金球在研磨的过程中容易产生较大的惯性,这会对整体的研磨运动轨迹和过程产生一定的影响,而硬度较高的钨钴类硬质合金球还会对沟槽产生不均匀磨损使得加工精度得不到保证。
最后介绍的是偏心V型槽研磨方法,该方法的上研磨盘的回转轴线与V型槽的轴线存在一定的偏移距离,这也使得球坯的公转中心与上磨盘旋转中心不在同一直线上,球坯与上研磨盘的接触点将沿着上研磨盘径向移动。与V型槽研磨法相比,该方法能够更好的获得球形偏差。国内的学者还在此基础上提出了优化方案,即使偏心盘与V型槽研磨盘同时转动,通过调节上下研磨盘的转速,是研磨轨迹充分发散,从而削弱偏心距对研磨均匀性的不利影响。
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AMT/SiO2催化剂的表征结果(2/2)
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- 发布于 2016年2月23日
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研究三氧化钨气致变色结构
- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年2月23日
- 点击数:991
研究者发现在双注入模型的基础上,注入的电子在被氧空位捕捉后形成色心是引起材料变色的起源,但是经过研究发现注入的氢也会对材料的变色起作用。因此研究者们建立了结构水分子模型,且这通过热重质谱联合技术可证实在三氧化钨纳米线薄膜内存在结构水分子。而三氧化钨气致变色的水分子结构能很好的解释三氧化钨纳米线的着色过程。在WO3纳米线薄膜内气致变色的着色过程可以描述为,吸附在Pt纳米颗粒表面的H2分子被离化成为H原子,H原子通过溢出机制转移到了WO3纳米线表面。
氢离子和电子双注入到WO3晶格内,然后氢离子与晶格中的O形成结构水分子。该结构水分子在热扰动或者光照的情况下,容易脱落其原先的位置,导致氧空位的出现。该结构水分子在常温条件下依然留在晶格内部,并不会排出纳米线体外。另一方面,注入的电子填充到由氧空位的出现而引起的导带底局域态中,从而引起W价态的改变。(从W5+变成W6+)。
经实验发现,结构水分子能够较好的解释气致变色的着色过程,同样它也能解释气致变色的褪色过程。气致变色的着色和褪色过程是一个燃烧的放热过程,WO3和Pt颗粒当催化剂的作用。其褪色过程的描述如下:当着色的纳米线在空气或者是氧气的条件下,吸附在表面的O2分子同样在Pt纳米颗粒表面发生了离化和转移,转移到WO3纳米线表面的O原子首先与吸附在表面的H反应形成羟基。
随着O原子的不断转移,O原子在纳米线表面通过捕获自由的电子形成O2-。随着纳米线内载流子浓度的减少,局域在氧空位附近施主能级上电子变得不稳定。当这些施主能级上的电子被吸附氧原子俘获并局域在纳米线表面时,与氧空位链接的W原子的价态会从W5+重新变成W6+,从而引起局域在附近的结构水分子的不稳定。最后,结构水分子分解成H+和O粒子。一方面,H+扩散到纳米线的表面与表面吸附的O离子结合形成水分子,吸附到空气中。另一方面,O离子填补了氧空位,使材料物质结构回复到了着色前的WO3结构,完成了三氧化钨纳米线薄膜的褪色过程。
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AMT/SiO2催化剂的表征结果(1/2)
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- 发布于 2016年2月23日
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