化学气相沉积法则是以六氟化钨（WF₆）为钨源，利用钨氟化物的熔点和沸点低的特点，采用精馏或蒸馏的方式提纯，并在一定温度下被H₂还原，将生成的钨沉积在特定的基底上，沉积完成后去除基底材料获得致密钨坯，高纯钨是广泛用于大规模集成电路的金属材料。

微电子技术中大规模集成电路集成度的提高对材料提出了更高要求，传统的Si基器件已不再适用。高纯钨或超纯钨(5N或6N) 由于具有高电子迁移抗力、高温稳定性以及非常高的电子发射系数，广泛用作半导体大规模集成电路的门电路电极材料、布线材料和屏蔽金属材料。

高纯钨具有对电子迁移的高电阻特性和高温稳定性，能够形成稳定的硅化物，在电子工业中常以薄膜形式用作栅极、连接和障碍金属。此外，高纯钨还常用于制造靶材、航空材料等,因此，金属的纯度对于金属的应用起着非常重要的作用，痕量杂质的存在都会影响金属的特性，这就对高纯钨的分析测试方法提出了较高的要求。

高纯钨粉是指纯度高于99.999%以上的纯钨，一般标准为3N或4N，超纯钨粉是指纯度达到99.99999%和99.999999%的钨粉，一般标准为5N或6N。高纯钨及其硅化物主要用于超大规模集成电路作为电阻层、扩散阻挡层等以及在金属氧化物半导体型晶体管中作为门材料及连接材料等，市场价格昂贵。