钨的知识

氧化钨纳米花XRD谱图

发布于 2018年2月26日

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在基片温度为800 ℃，保温时间为15分钟时所生长的氧化钨纳米花结构体的XRD谱图。XRD谱图中23.5°的衍射峰对应于单斜γ相氧化钨结构面，而41°、58°、74°的衍射峰则对应于立方晶系的钨单质。其中晶向为面的衍射峰较强，因而氧化钨在晶向面上的结晶度较高，晶格常数为0.3728 nm。

分类：钨业知识

发布于 2018年2月26日

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Pt掺杂技术能够使氧化钨纳米花薄膜的电致变色性能得到充分的提高，而氧化钨纳米花薄膜Pt掺杂的流程如下：

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发布于 2018年2月26日

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氧化钨纳米花薄膜作为一种新型材料薄膜有着其独特的性能优势，故其制备流程有着十分重要的作用。氧化钨纳米花薄膜的制备流程如下：

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发布于 2018年2月26日

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由于氧化钨纳米花中存在着接触结，导致相互交叉的纳米花具有不同的原子吸附，从而存在不同的表面电子态。不同的表面电子态将形成不同的表面电势，并在它们的接触结上出现表面能量势垒。

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发布于 2018年2月26日

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当温度逐渐升高至800 ℃以上时，由于钨的熔点为3420 ℃，钨不会被蒸发。而氧化钨沸点为800 ℃，氧化钨将升华为气相氧化钨，并且遵循气-固相反应模型模型，氧化钨纳米花结构体的生长机理如下：

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2024年1月份赣州钨协预测均价与下半月各大型钨企长单报价。