射频溅射法是一种常见且简单可行的二硫化钨薄膜制备方法。该方法在惰性气体中对二硫化钨靶材不断射频激励放电，从而成功制备二硫化钨薄膜。

反应磁控溅射法适用高熔点二硫化钨薄膜的制备，是一种较为常见的二硫化钨薄膜制备方法。该方法要求纯钨靶溅射出原子，同硫化氢（H₂S）气体裂解出的硫离子发生反应沉积，从而成功制得薄膜。

高温自加压制备纳米二硫化钨是将WO₃溶胶、分散剂DMSO和升华硫装入自行设计反应釜中，在900℃进行高温自加压反应的一个过程。通过控制制备时的温度，该方法可以制备出不同形貌的纳米二硫化钨。

所谓的SEI膜是指锂离子电池在首次充放电时，电解液中少量极性非质子溶剂在得到部分电子后发生还原反应，与锂离子结合反应生成一种厚度约100-120nm的介面膜。