二硫化钨(WS2)作为过渡金属硫化物(TMDCs)中的代表之一，因拥有优良的电学、光学和光催化等特性被人们广泛的关注与研究。但由于二硫化钨量子点主要采用自上而下的物理剥离法合成，所以得到的量子点的粒径不均，形貌控制难，提纯难度大，荧光量子效率低，致其在光电器件等领域的应用受到限制。

通过三氧化钨/石墨烯复合材料的制备方法（一）、（二）的介绍，我们可以很清楚地知道它们均存在生产工艺复杂、反应时间长、固液分离困难、产量较低的不足。然而，经过这几年专家们的不断努力，这两种制备方法的不足均得到了较大的改进。

除了原位合成技术外，异位合成技术也是三氧化钨/石墨烯复合材料的一种制备方法。目前，关于这方面也有不少报导，其主要包括负载三氧化钨纳米粒子分散液和石墨烯/氧化石墨烯分散液的预先制备以及二者混合还原两个步骤。

三氧化钨是一种n型宽禁带半导体氧化物，价格低廉、易制备、性能稳定、无毒、无害，在光电化学领域得到了广泛应用。WO3若与石墨烯复合，有助于扩大钨氧化物比表面积，增大接触面积，从而提高其化学活性，在气体探测、光探测、催化和能源储存等领域展示了广阔的应用前景。接下来，主要介绍的是三氧化钨/氮掺杂石墨烯复合物的制备方法。