众所周知，新一代的电子芯片将引领电子市场的变革。作为第二代和第三代半导体的主要代表，GaAs（砷化镓）和GaN（氮化镓）都属于化合物半导体材料，均因为具有较好的耐高温、高压、高频以及高电流密度性能的优势，在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着重要的地位。那GaAs与GaN芯片有什么不同之处？

氮化镓（GaN）是一种宽带隙化合物半导体材料（禁带宽度为3.4eV），具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一，常用来制作发光二极管。氮化镓基发光二极管在光学存储、激光打印、高亮度发光二极管以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势。

氮化镓既是一种由氮和镓组成的无机化合物，也是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。相对于硅晶体管来说，氮化镓晶体管拥有更快的数据传输速度，这主要是因为氮化镓具有较宽的直接带隙、较强的原子键、较高的热导率、良好的化学稳定性（几乎不被任何酸腐蚀）以及优异的抗辐照性能等特点。

随着科学技术的不断发展，芯片的应用范围也随之扩大，除了电视机需要用到芯片外，计算机、音响、影碟机、录像机、手机、照相机等电子设备都要用到芯片。那么，芯片、集成电路与分立器件三者有什么关系？