氮化碳半导体因有环保、无毒、稳定性良好等特点而成为近些年来备受可见光催化材料。但是单纯氮化碳的比表面积较小，禁带宽度较大，光生电子-空穴对的复合率较高，进而不能有效利用太阳光，这大大限制了其光催化效率的提高和在光催化领域的发展。为了进一步提高氮化碳的光催化活性，研究者便使用了氧空位氧化钨对它进行改性，以有效增多产品的活性位点。下面，我们一起来了解一下氧空位氧化钨复合光催化剂的生产方法。

所谓的高纯纳米紫钨棚膜是指在生产过程中有添加紫色氧化钨颗粒的塑料薄膜。相对于普通的薄膜来说，该新型农用薄膜拥有更高的性价比，比如制造成本更合理、耐高温性能更好、化学性能更为稳定、抗紫外线与近红外线能力更强等。而这些优点主要源于紫钨的分子结构更为特殊，而具备更为优秀的理化性质。下面，我们一起来了解一下在使用过程中应如何防止棚膜老化。

钨的氧化物属于一种新型的半导体材料，具较高的光催化活性和良好的超导性能，其中W02.90（蓝色氧化钨）和WO2.72（紫色氧化钨）是目前已知化学稳定性较好的非化学计量比的氧化钨。它们因晶体结构中存在氧空位缺陷的原因，而又可以称为氧空位氧化钨粉末。相较三氧化钨而言，氧空位氧化钨具有更为优秀的光致变色、近红外吸收、紫外吸收以及光催化等性质，更适合应用于新一代的棚膜中。

作为高温超导涂层导体的重要组成原料之一，镍钨金属基带除了立方织构质量是影响该产品性能的重要因素外，基带的表面特性也十分重要，将直接影响后续氧化物材料的制备以及超导层的性能。目前对于NiW金属基带的表面特性研究主要包括：表面腐蚀、抛光、退火、表面硫化改性等，但是它们均存在一定的不足，比如没有改善基带表面活性，基带表面出现晶界热蚀钩等缺陷。因此，本文将提出在NiW金属基带表面采用低成本的化学法制备出钨纳米点，这样将提高基带的表面活性，促进氧化物层异质外延生长。