p型WSe2之所以能很好地成为光电极产氢的理想材料，是因为它具有以下3个优势：（1）带隙窄，易于光电化学产氢；（2）具有较高的载流子迁移率；（3）光电转换效率仅次于硅，但光稳定性高于硅。据悉，目前提高二硒化钨光电催化活性的方法主要使用负载，如铂、钌一类的贵金属及其相应复合物，由于负载材料价格昂贵且地球含量低，极大地限制该类材料在光电催化分解水方面的实际应用。针对上述的不足，下面将为大家介绍一种WSe2基复合纳米片光电极的生产方法。其具体步骤如下：

相对于过渡金属二氧化钛（TiO2）来说，二硒化钨（WSe2）纳米颗粒更适合用来制造高性能的光电极，这主要是因为该钨化合物具有更高的光吸收系数和能量转换效率。WSe2的光电转换效率高达17%，而 TiO2只能吸收5%的太阳光。

作为过渡金属钨的较为典型一种化合物，二硒化钨（英文为 tungsten diselenide，分子式为WSe2）因晶体结构特殊，而具有较为出色的力学、电学、光学、磁学等性能，广泛应用于航天航空、军事国防、医疗设备等领域中。

目前，对于二硫化钨的制备方法主要采用射频溅射法、模板法、水热合成法、微波辅助合成法及超声化学合成法等。但是，这些方法均存在对于设备要求高、工艺复杂、成本昂贵、不利于器件的开发和应用。针对上述的不足，下文将为大家介绍一种能制备具有大比表面积的N掺杂WS2纳米片的烧结法。其具体步骤如下：