钨合金飞镖筒形状有哪些?
- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年3月11日
- 点击数:1848
钨合金飞镖筒是钨合金飞镖部件的最主要的部分,钨合金飞镖筒通常由高比重钨合金制作,80~95%的钨和其他配比的粘合剂(镍,铜,铁)。与此同时,我们也可以提供低于80钨的钨合金飞镖筒,但是粘合剂只能是铜,然而,这样的钨合金飞 镖筒从表面上看起来更像铜而不像钨。除此之外,我们还可以根据客户的不同需求提供其他配比的钨合金飞镖筒,钨含量不同,钨合金飞镖筒的价格也不同。钨合金飞镖筒有四种形状:
a)垂直型钨合金飞镖筒,
b)中心重型钨合金飞镖筒,
c)鱼雷型钨合金飞镖筒 - 镖筒的底端最宽,
d)炸弹型钨合金飞镖筒 - 类似鱼雷的形状,但最大宽度离底端稍远。

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有序多孔硅与氧化钨薄膜的应用
- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年3月11日
- 点击数:1977
从工业革命开始,人类社会在取得巨大进展的同时也付出了环境污染和生态恶化的巨大代价,从光化学烟雾到酸雨,空气污染越来越严重,NO2在其中起着十分重要的影响.NO2除火山喷发等自然来源外,主要来自于燃料的燃烧、城市汽车尾气.此外,工业生产过程也可产生一些NO2.据估计,全世界人为污染每年排出的氮氧化物大约为53Mt.主要危害大气、水源土壤等,可对人类的呼吸系统和眼睛造成直接伤害.我国的室内空气质量标准中关于NO2浓度的规定上限大约为0.12ppm.随着人们对生活质量的要求逐渐提高,对NO2气体的检测近年来成为一个重要课题,进而气敏传感器的研究取得了快速发展,其中金属氧化物半导体材料异军突起,SnO2,ZnO,WO3等都被进行过广泛研究.但已有的研究表明这些材料的突出问题在于工作温度较高、选择性和灵敏度不甚理想等,不利于集成化和低功耗的发展趋势,因此人们采用包括材料掺杂复合、低维化、采用不同制备方法、研究低温甚至常温气敏材料等方式来降低传感器的工作温度.
多孔硅由于其独特的光学特性、常温气敏特性以及在生物医学领域的应用,20世纪90年代以来受到越来越多的重视。多孔硅因其极大的比表面积而具有很高的表面活性,能吸附外界环境中大量的气体分子改变其电学特性或光学特性而表现出气敏性能。在以多孔硅作为气敏材料的应用中,一般采用光激励、掺杂或与其他材料复合的方法达到提高灵敏度或选择性的目的.氧化钨作为一种常见的n型金属氧化物半导体材料,也具有较好的电致变色特性和优异的气敏特性。在n型有序多孔硅表面磁控溅射一层氧化钨薄膜,利用多孔硅的室温气敏性能和氧化钨对NO2较好的灵敏度优势进行复合结构气敏性能的研究。有序多孔硅的孔径介于介孔硅和大孔硅之间。足够大的孔径和较高的孔隙率既有利于与氧化钨薄膜形成良好的复合界面,又能保证对气体的高灵敏度。

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纳米氧化钨薄膜光致变色效应的应用
- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年3月11日
- 点击数:2114
氧化钨的光致变色特性在光信息存储、光调控、光开关、光学器件材料、光信息基因材料等领域具有广阔的应用前景。目前利用氧化钨光致变色特性已经设计制造出了不少实际应用的器件,如可用于分解水的WO3/TiO2复合太阳能电池,同时具有光致变色电致变色特性的智能窗(PV-ECsmartwindows)。等。
光学记录和图像存储
利用光致变色化合物受不同强度和波长光照射时可反复循环变色的特点,可以将其制成计算机的记忆存储元件,实现信息的记忆与消除过程。其记录信息的密度非常大,而且抗疲劳性能好,能快速写入和擦除信息。非晶态的WO3在被KrF受激准分子激光器产生的波长为248nm的激光照射下会变成紫色,再被Nd-Y-Al石榴石激光器产生的波长为1.06μm的激光照射又可以变成无色。研究还发现,利用WO3在退火过程中光学特性发生变化的特性制作的一次性写入式光学记录盘,其数据最大存储密度可达25GB。此外WO3在紫外光照射下变蓝的光敏特性可用于自显影全息记录照相。在透明胶片上涂上一层很薄的WO3薄膜,其对可见光不感光,在紫外光的照射下变成有色影像。这种成像方法分辨率高,不会发生操作误差,而且影像可以反复录制和消除。
光学禁带宽度可调的光子晶体
光子晶体是介电常数在空间呈周期性排列形成的人工结构。与普通晶体一样,光子晶体的周期排列具有能带结构,光子能带之间可能存在光子带隙或光子禁带。光子带隙或禁带是指一个频率范围,在这个频率范围里的电磁波不能在这个光子晶体里传播,而频率位于能带里的电磁波则能在光子晶体里几乎无损地传播。带隙的宽度和位置与光子晶体的介电常数比值有关系。WO3在光的照射下或电场的作用下其介电常数可以大范围连续改变,因此用氧化钨在聚苯乙烯模板上制作的反蛋白石结构的光子晶体可以更加有效的调控光路。
染料敏化太阳能电池
染料敏化太阳能电池(DSSC)是指以染料敏化多孔纳米结构薄膜为光阳极,根据光生伏特原理,将太阳能直接转换成电能的一种半导体光电器件。光电转换效率和作为光阳极薄膜的禁带宽度有很大关系,一般选取禁带宽度为3.2eV的TiO2作为光阳极薄膜。WO3具有跟TiO2类似的能带结构,只是其禁带宽度相对较小,但是染料敏化氧化钨太阳能电池产生的电能足以驱动利用氧化钨电致变色薄膜变色特性制作的智能窗、显示器等电致变色装置。而且这样同时利用氧化钨的光致变色-电致变色特性的装置在结构上相对简单,绿色环保。
防紫外线薄膜
氧化钨对紫外光敏感,因此可以制成薄膜,涂覆在玻璃窗外防止紫外线对人体的伤害。如果在太阳镜上镀上氧化钨薄膜,在光强的时候,自动变色屏蔽紫外线,可以减少紫外线对人眼的伤害。此外氧化钨还可用于探测是否有紫外线的存在及紫外线的强度大小。
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纳米氧化钨薄膜光致变色特性
- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年3月11日
- 点击数:2103
在外界激发源的作用下,一种物质或一个体系发生颜色明显变化的现象称为变色性。光致变色是指一种化合物A受到一定波长的光照射时,可发生光化学反应得到产物B,A和B的颜色明显不同。B在另外一束光的照射下或经加热又可恢复到原来的形式A。光致变色(Photochromism)是在光的作用下发生的一种可逆的化学反应。作为过渡金属氧化物,氧化钨薄膜是一种优异的光致变色材料,研究发现氧化钨在紫外光照射下会变成蓝色。由于氧化钨的光致变色特性在光信息存储、光调控、光开关、光学器件材料、光信息基因材料等领域中具有广阔的应用前景而倍受关注。
纳米氧化钨薄膜光致变色的机理氧化钨的光致变色效应伴随着可逆的氧化-还原反应,目前普遍认可的变色机理可用1975年由Faughnan提出的双电荷注入/抽出模型解释,即在紫外光照射下,价带中的电子被激发到导带中,并产生电子空穴对,随后光生电子被W(VI)捕获,生成W(V),同时光生空穴氧化薄膜内部或表面的还原物种,生成质子H+,注入薄膜内部,与被还原的氧化物结合生成蓝色的钨青铜HxWO3,蓝色是由于W(V)价带中电子向W(VI)导带跃迁的结果。W6(A)+W5(B)<=>W5(A)+W6(B),由于上述变化不会破坏材料的晶体结构,因此氧化钨材料的光致变色效应具有良好的可逆性和耐疲劳性能。

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气相法制备纳米氧化钨
- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年3月11日
- 点击数:2169
气相法生长晶体,就是将拟生长的晶体材料通过升华、蒸发、分解等过程转化为气相,然后通过适当条件下使它成为饱和蒸气,经冷凝结晶而生长成晶体。
气相法晶体生长的特点是:生长的晶体纯度高;生长的晶体完整性好;晶体生长速度慢;有一系列难以控制的因素,如温度梯度、过饱和比、携带气体的流速等。目前,气相法主要用于晶须生长和外延薄膜的生长(同质外延和异质外延),而生长大尺寸的块状晶体有其不利之处。气相法主要可以分为两种:物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD):用物理凝聚的方法将多晶原料经过气相转化为单晶体,如升华-凝结法、分子束外延法和阴极溅射法;化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD):通过化学过程将多晶原料经过气相转化为单晶体,如化学传输法、气体分解法、气体合成法和MOCVD法等。
目前气相法是制备纳米氧化钨极其重要的方法之一。气相法是使用气体为原料在气相流中利用一些物质可以发生化学反应,形成的基本粒子再经过成核、通过生长两个阶段来合成粒子、晶须或晶体等工艺过程来合成纳米材料,这种方法操作比较简单,使用成本低,同时可以制备出纯度较高,样品颗粒分散性很好的纳米材料,同时又由于该样品具有功能多样性、工艺操作可控性和生产过程连续性等一些独特的优点因此可以利用这种方法进行大规模的制备纳米材料。同时由于此种方法还可以在远低于材料的溶点的温度下来合成纳米材料,但是由于这种合成纳米材料的方法,需要反应器内温度所变的梯度小,所合成的粒子有较大的粒度,样品的团聚比较严重,温度不是很适宜还容易发生烧结现象,因此利用此种方法合成纳米材料有很大的局限性。钨粉在高温下发生了一些相变反应进而变为W18O29。而W粉又被氧化为WO2,同时在反应过程中产生了大量的热放出的大量的热是温度升高从而使气化的W18O29又被进一步的氧化。

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