高飛灰工況的三氧化鎢脫硝催化劑選型
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- 發佈於：2016年4月13日
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蜂窩式脫硝催化劑由於孔數較多，截距較小、壁厚較薄，因此具有較大的幾何比表面積，所需的三氧化鎢脫硝催化劑工程用量較小。然而，由於其孔徑較小，煙氣通過性能差，在高飛灰條件下，極易發生飛灰的架橋堵灰，而當部分孔徑堵塞，其它孔徑通過的飛灰量急劇增大，整個催化劑都會發生嚴重堵塞。我們知道，催化劑堵塞是一種不可逆的嚴重運行事故，嚴重時要將催化劑退出反應器進行清理。
薄壁型催化劑由於壁厚比標準型平均小25%以上，相同孔數時，其孔徑要比標準型大5%左右，因而具有更好的煙氣及飛灰通過性，更高的比表面積，所需的工程用量較少。然而，由於內壁厚度較小，耐磨損強度較小，可能發生局部斷裂，甚至堵塞，耗用極大的運行成本。
我國大多數火電機組燃燒工況惡劣，催化劑的再生需求十分的大。催化劑的選型不僅需要考慮化學壽命期內充足的機械強度，還應考慮催化劑再生所需的機械強度。高飛灰條件下，無視設計原則，盲目選擇多空型催化劑是不可取的。一般而言，壁厚越小，機械破損的風險越高，並且，此類風險不會因端部硬化而緩解。根據經驗當飛灰濃度超過30g/Nm3的時候，催化劑應選用標準型、壁厚大於1.0mm的催化劑，才能完全滿足高飛灰狀況下的化學壽命和機械壽命要求，並且不會發生積灰堵塞及磨損斷裂的危險。
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含三氧化鎢脫硝催化劑用二氧化鈦
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脫硝催化劑納米鈦白粉是納米二氧化鈦的一種，為摻雜三氧化鎢、五氧化二釩的納米二氧化鈦複合粉體。該催化劑粉體可負載於不銹鋼金屬板、陶瓷、玻璃纖維基材上，製成板狀、蜂窩狀或波紋板狀，最後集成於鋼殼內，組成脫硝反應器的整體。含鎢脫硝催化劑用鈦白粉具有親水性高、吸附力強、比表面積大、催化活性高、600℃高溫燒結後比表面積穩定、不產生二次污染等優良品質，主要用於脫硝，在100%煙氣條件下的脫硝率達95%以上。
SCR脫硝法是目前最有效的脫硝技術，而含鎢的脫硝催化劑是脫硝性能極佳的一種催化劑。與傳統的SCR催化劑相比，該催化劑擁有更大的比表面積、顆粒均勻、硫含量極低、催化活性高，因而具有更強的催化還原作用。含鎢脫硝催化劑用鈦白粉主要用於製造脫硝催化劑,是SCR脫硝催化劑的良好載體材料，主要是處理氮氧化物，專門為垃圾焚燒電廠和化工，煉油，煉焦，玻璃製造廠煙氣治理以及汽車，輪船尾氣處理所需脫硝催化劑的製造。
催化劑若長時間暴露於450℃以上的高溫環境中容易引起催化劑燒結,導致催化劑中二氧化鈦晶形發生變化，顆粒增大、表面積減小,活性降低，而三氧化鎢的加入能夠最大限度地減少催化劑的燒結。另外，三氧化鎢均勻分佈於二氧化鈦表面，與五氧化二釩結合後更有助於提高催化效率。
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三氧化鎢SCR脫硝催化劑用於低氮燃燒機組
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低氮燃燒機組主要是針對NOx 的兩種主要生成機理，在降低燃燒溫度的同時，降低著火區域的氧氣濃度，以抑制爐內氮氧化物的生成。通過採用爐內低NOx 燃燒技術，能將NOx 排放濃度降低30%～60%。目前普遍採用的低氮燃燒技術主要是通過低氮燃燒器改造，來實現爐內低氧、分級配分的燃燒特性，達到NOx的減排效果。
由於爐內低氮燃燒技術的局限性,使得NOx的排放不能很好的滿足環保要求，為進一步降低NOx 的排放，必須對燃燒後的煙氣進行脫硝處理。幹法、半幹法和濕法是目前通行的煙氣脫硝工藝。其中幹法SCR脫硝工藝以其脫硝裝置結構簡單、運行方便、可靠性高、脫硝效率高、一次投資相對較低等諸多優點，具有很高的商用價值而得到廣泛應用。
SCR 裝置主要由脫硝反應劑製備系統和反應器本體組成，通過向反應器內噴入脫硝反應劑NH3，將NOx 還原為氮氣和水蒸氣。SCR脫硝催化劑一般以二氧化鈦為載體，摻入五氧化二釩、三氧化鎢為主要活性成分，其活性溫度一般在300~400℃之間。三氧化鎢在催化劑中發揮著抗硫化、抗中毒能力的作用，從而提高催化劑的活性。SCR 脫硝反應器按照相對於除塵器的安裝位置，可分為高含塵和低含塵兩類。但由於低含塵需要安裝蒸汽加熱器和煙氣換熱器( GGH)，使得系統複雜、增大投資，故一般選擇高含塵工藝。
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離子源燈絲的清洗
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離子源燈絲的使用週期會因使用者的使用習慣和維護程度不同而千差萬別。發現離子源燈絲需要清洗時，使用者應該更具說明仔細的進行操作，正確的清洗和重新安裝是至關重要的。除了對離子源燈絲本身的清洗，還應該考慮到其周圍部件的，看是否也需要一定程度的清洗。以下對離子源燈絲的清洗作簡要的介紹。
在清洗之前，要先檢查離子源本體是否有放電現象，有必要的話要用白潔布或者砂紙等除去異常放電痕跡。並且採取相應的預防安全措施，以免發生不必要的意外。所有的試劑和玻璃容器必須是潔淨沒有受到任何污染的。除此之外還需準備其他備件，如果清洗過程中損毀了燈絲，就需要進行燈絲的更換。
在清洗時，對於離子源專用陶瓷器件，比如陶瓷棒，陶瓷隔墊等，這些部分一般不清洗。如果出現離子源高壓放電時，則可以用棉花纖維氧化鋁粉擦拭污垢部位。長時間使用的離子源燈絲元件由於燈絲表面有沉積物，沉積物又帶有大量的帶電離子，所以離子源燈絲很容易在高壓下放電。因此，對於離子源燈絲的清洗要十分注意，一不小心就會弄斷燈絲。要先把離子源舊燈絲的陶瓷表面用棉花纖粘氧化鋁粉進行輕輕的擦拭，其次用水沖洗氧化鋁粉，然後用電風吹吹幹。
清洗完離子源燈絲後，按照之前拆卸離子源燈絲的順序，對照離子源說明進行離子源燈絲的安裝。整個過程都需要儀器工程師做好衛生工作。工程師應佩戴口罩，手套和帽子。
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鎢青銅(TB)型晶體的結構
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鎢青銅(TB)型晶體材料，由於具有良好的光學效應、電學性能以及變晶相界等獨特性質。廣泛應用於鐳射倍頻、電光調製、光學資訊處理、超導、濕度感測器、固體燃料電池等技術領域。TB型晶體材料的分子設計，是在對其結構認識的基礎上，進行原予層次的設計、探索和合成該結構的目標晶體材料。近年來，此領域取得了不少新成果。成為該型晶體材料研究開發和性能改善的有效手段。
TB型晶體中四方鎢青銅(TTB)晶體較為多見(許多斜方TB結構是TTB結構的超結構)，應用廣泛。所以通常所說的TB型晶體主要是指TTB晶體。其結構沿C軸的投影如圖所示。B-O八面體共角頂聯接形成的五角形、四角形和三角形孔隙。分別稱為A1、A2和C位置。圖中粗實線劃出的是一個單位晶胞，其中：孔隙數目比倒為A1：A2：C=4：2：4，即共有10個A位置；另有10個B位置和30個O2-。B位置根據對稱型的不同可分為2個B1位置(晶胞邊線中點)和8個B2位置(晶胞內部)。C軸平移週期為一個B-O八面體高度。結構中：A2與O2-的配位數可為9、10、11、15，A2、C、B與O2-的配位效分別為12、9和6。
因此，TB結構的通式為(A1)1(A 2)2C4(B1)2(B2)8O30。當6個A1、A2位置未全部為陽離子充填且C位置全空時，稱為未充滿型結構；當6個A1、A2位置全部為陽離子充填而C位置全空時，稱為充滿型結構；當6個A1、A2位置與4個C位置均為陽離子充填時、稱為完全充滿型結構。
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