鎢加熱子真空鍍膜在MOSIC中的應用
- 分類:鎢的知識
- 發佈於:2016年6月20日
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MOSIC是金屬—氧化物半導體積體電路的英文簡寫。是以金屬—氧化物—半導體場效應電晶體為主要元件構成的積體電路。該電路的製造結構簡單,隔離方便。電路尺寸較小且功耗低。MOS(金屬—氧化物—半導體)管是一種雙向器件,設計靈活性很高。一般來說MOS積體電路功耗低,集成度很高,可以用作數位積體電路。但是這種積體電路的缺點是速度較低,驅動能力比較弱。
按電晶體的溝道導電類型,可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS電晶體結合成一個電路單元的互補MOSIC,分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS積體電路。隨著工藝技術的發展,CMOS積體電路已成為積體電路的主流,工藝也日趨完善和複雜 ,由P阱或N阱CMOS發展到雙阱CMOS工藝。按柵極材料可分為鉛柵、矽柵、矽化物柵和難熔金屬(如鉬、鎢)柵等MOSIC,柵極尺寸已由微米進入亞微米(0.5~1微米)和強亞微米(0.5微米以下)量級 。
鎢加熱子在高溫下和鍍膜裝置裡的殘餘氣體會發生反應,作為氧化物會被蒸發掉。並且加熱子會和被蒸發物質鋁發生反應形成Na+,這樣以來加熱子應用在MOSIC上的問題就比較嚴重了。因此,為了減少Na+的污染,執法之前要加長脫氣的時間並且升高溫度,加熱到鎢絲發紅而又不會導致鋁發生熔化現象。脫氣時蒸發電壓為4~6V,電流50~55A,時間為1分鐘最好。在此條件下進行蒸發鍍膜可以一定程度上克服因蒸發沾汙而造成漏電使結特性變壞。
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鎢加熱子——加熱元件
- 分類:鎢的知識
- 發佈於:2016年6月20日
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加熱元件是一種將電能轉化為熱能的電子設備,常常應用於熱水器,洗碗機,烤箱,烤麵包機,咖啡壺以及其他需要用到產熱功能的設備。加熱元件主要由電線圈組成,可以採用絕緣材料或者防護材料將其進行包裹。當電流通過導線傳遞,遇到電阻後就會產生熱量。所產生的熱量的大小可以通過調整通過導線的電流的大小進行改變。加熱元件包括短波紅外加熱管,中波紅外加熱管,遠外加熱管、電熱圈等。
一般條件下,加熱元件的燒毀程度會隨著時間的流逝而加大。因此,他們常被設計成可訪問的樣式,這樣以來就很容易更換壞掉的加熱元件。但是,元件更換需要消耗比較多的成本,因此,在更換之前最好先做好測試,看是否問題出在加熱元件上。有可能是因為電還沒有到達元件,導致元件無法產生熱量,也有可能是接線上出現了問題,或者是其他原因。
加熱元件之所以能夠獲得巨大的熱量主要源於其金屬材料。作為具有良好導電性能的鎢加熱子,常常作為加熱元件用於真空噴鍍領域。之所以選擇金屬材料作為加熱元件的一部分,是因為他們能夠承受多次的冷卻和加熱迴圈,材料利用率高,節約成本,且效果好。在潮濕的情況下,加熱元件可以被隱藏在安全的環境中,隔絕材料會將熱量分散開來,不讓空氣中的水分和加熱元件進行直接的接觸。
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球形鎢粉應用於陰極基體
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鎢粉分級在粗晶碳化鎢粉生產中的應用
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鎢銅合金薄板性能表徵
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鎢銅合金薄板性能表徵指的是鎢銅合金薄板的物相分析、顯微組織觀察以及各項性能測試。其中物相分析還可細分為差熱分析(Differential thermal analysis,DTA)、XRD物相分析(X-ray diffraction)以及成分測試等。差熱分析採用的是差熱分析儀,其原理是通過在一定溫度下不發生任何化學反應和物理變化的穩定物質作為參照物與等量的待測物(鎢銅合金薄板)在相同環境中等速變溫的情況下進行比較。待測物任何物理和化學上的變化與它所處同一環境中的標準物溫度相比都會出現暫時的升高或降低。而XRD物相分析則採用銅靶K輻射,調整工作電流、電壓以及掃描速率,利用特徵X譜線測出鎢銅合金薄板試樣中的主要組成相。
對於鎢銅材料來說,成分測試一般採用稀硝酸—氫氟酸溶液,這是因為在硝酸介質中鎢會以鎢酸的形式沉澱並與銅分離。之後用氫氧化銨將鎢酸沉澱溶解,以鎢酸銨灼燒重量法測定鎢;再以電感耦合等離子體原子發射光譜法測定濾液中所殘餘的鎢,二者相加即為鎢的總量。對鎢銅合金薄板進行顯微組織觀察的過程是砂紙磨制→水沖洗→拋光(剛玉Al2O3)→水沖洗→酒精清洗→烘乾→浸蝕(浸蝕劑採用1:1鐵氰化鉀和氫氧化鈉混合溶液)→水沖洗→酒精清洗→烘乾→觀察試樣。
各項性能的測試包括密度測試、硬度測試(維氏硬度HV)、電阻率(電導率)測試、熱導率測試、熱膨脹係數檢測等。其中密度測試採用的是經典的阿基米德排水法;顯微硬度採用的是金剛石壓頭以規定載荷壓入試樣表面後的壓痕長度來確定;電阻率的測定通常採用電橋法;熱導率則是先在鎢銅合金薄板試樣的表面噴塗上碳粉以防止表面反射入射光,然後在一定溫度下採用閃光法導熱分析儀將加熱元的氙燈發射一束脈衝打在樣品下表面,並由紅外探測器測量升溫情況得到熱擴散係數。

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